| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-09-26 13:50
32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案 ～ 究極のプレーナー型MOSFET ～
○井本 努・舘下八州志・小林敏夫（ソニー） |
| 抄録 |
（和） |
新しい非対称raised source/drain extension型MOSFET構造を提案する。この構造では、grooved-gate MOSFETにおいて知られている「コーナー効果」を用いてショートチャネル効果を抑制し、コーナー効果によって生じる電流駆動能力の劣化を非対称な不純物濃度設計によって回避する。これにより、高い電流駆動能力を維持しつつ、製造工程の変動余裕を最大化できる。デバイスシミュレーションの結果、この構造では、エクステンションの接合深さの変動余裕を、電流駆動能力を犠牲にすることなく、最適化した対称構造に比べて3倍に増加させることが可能とわかった。このように、この非対称raised source/drain extension構造は、プレーナー技術で実現する32nmノードMOSFETとして有望な候補の１つと考えられる。 |
| （英） |
A novel asymmetric MOSFET structure is proposed which provides an excellent tradeoff between current drivability and manufacturability for planar MOSFET technology. To achieve this, the “corner effect” is utilized to suppress short channel effects, while degradation in current drivability caused by the corner effect is avoided by an asymmetric design. Using simulation, it is shown that this structure enlarges the tolerance for the junction depth of source/drain extensions by a factor of three, without sacrificing current drivability, compared to the optimal symmetric structure also found in this work. This asymmetric structure is a superior design strategy for planar MOSFETs and can be considered as one of the most promising candidates for 32nm-node MOSFETs. |
| キーワード |
（和） |
非対称構造 / コーナー効果 / ショートチャネル効果 / 電流駆動能力 / プロセス変動余裕 / せり上げソースドレイン / エクステンションせり上げ型 / MOSFET |
| （英） |
asymmetric structure / corner effect / short channel effect / current drivability / process tolerance / elevated source/drain / elevated extension / MOSFET |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-166, pp. 37-42, 2006年9月. |
| 資料番号 |
SDM2006-166 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
|
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM VLD |
| 開催期間 |
2006-09-25 - 2006-09-26 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-09-SDM-VLD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案 |
| サブタイトル（和） |
究極のプレーナー型MOSFET |
| タイトル（英） |
A Novel Asymmetric Raised Source/Drain Extension Structure for 32nm-node MOSFETs |
| サブタイトル（英） |
An ultimate planar MOSFET |
| キーワード(1)（和/英） |
非対称構造 / asymmetric structure |
| キーワード(2)（和/英） |
コーナー効果 / corner effect |
| キーワード(3)（和/英） |
ショートチャネル効果 / short channel effect |
| キーワード(4)（和/英） |
電流駆動能力 / current drivability |
| キーワード(5)（和/英） |
プロセス変動余裕 / process tolerance |
| キーワード(6)（和/英） |
せり上げソースドレイン / elevated source/drain |
| キーワード(7)（和/英） |
エクステンションせり上げ型 / elevated extension |
| キーワード(8)（和/英） |
MOSFET / MOSFET |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井本 努 / Tsutomu Imoto / イモト ツトム |
| 第1著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
SONY Corp. (略称： SONY) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
舘下 八州志 / Yasushi Tateshita / タテシタ ヤスシ |
| 第2著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
SONY Corp. (略称： SONY) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小林 敏夫 / Toshio Kobayashi / コバヤシ トシオ |
| 第3著者 所属（和/英） |
ソニー株式会社 (略称： ソニー)
SONY Corp. (略称： SONY) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-09-26 13:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
VLD2006-45, SDM2006-166 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.254(VLD), no.256(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.37-42 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |