| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-09-26 15:25
歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算
○三成英樹・森 伸也（阪大） |
| 抄録 |
（和） |
非平衡グリーン関数法に半経験的な sp3d5s* 強結合近似法を導入した量子輸送シミュレータを用いて1次元シリコンナノ構造のバリスティック電流を計算した．特に，シリコンナノ構造に歪領域を導入することによるバリスティック電流の変化について詳細に調べた． |
| （英） |
We have numerically calculated ballistic current in one-dimensional silicon nanostructures with a strained layer using a non-equilibrium Green's function method combined with an empirical sp3d5s* tight-binding approximation. |
| キーワード |
（和） |
シリコン / 強結合近似法 / 非平衡グリーン関数法 / 歪 / / / / |
| （英） |
silicon / tight-binding approximation / non-equilibrium Green's function method / strain / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-169, pp. 55-58, 2006年9月. |
| 資料番号 |
SDM2006-169 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM VLD |
| 開催期間 |
2006-09-25 - 2006-09-26 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-09-SDM-VLD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
To be announced |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） |
強結合近似法 / tight-binding approximation |
| キーワード(3)（和/英） |
非平衡グリーン関数法 / non-equilibrium Green's function method |
| キーワード(4)（和/英） |
歪 / strain |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三成 英樹 / Hideki Minari / ミナリ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
大阪大学 (略称： 阪大)
Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第2著者 所属（和/英） |
大阪大学 (略称： 阪大)
Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-09-26 15:25:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
VLD2006-48, SDM2006-169 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.254(VLD), no.256(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.55-58 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
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