| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-09-26 16:15
反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション
○羽根正巳（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・江崎達也（広島大）・山本豊二（MIRAI-ASET） |
| 抄録 |
（和） |
反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を印加したnMOSFETのドレイン電流を計算。{100}面上のnMOSFETにチャネル方向一軸性伸張歪を印加した場合、オン電流増大率は<110>軸チャネルでは増加するものの、<100>では比較的早く低いレベルで飽和するという計算結果となった。これら電流増減及び増大率飽和の物理機構についてモンテカルロシミュレーションの統計的解析結果を示した。 |
| （英） |
Simulation analysis of channel-orientation effects on strained silicon MOSFETs based on a full-band Monte Carlo method considering sub-band structures in the channel region was presented. Simulation results show that the nMOSFET drain-current increases with applying uniaxial tensile stress while it exhibits different behavior for <100> and <110> different channel directions. Further detailed analyses have been made to clarify appropriate physical mechanism of the drive-current-increase by means of a source-side-injection/ backscattering concept. |
| キーワード |
（和） |
歪シリコン / モンテカルロ / フルバンド / チャネル方位 / / / / |
| （英） |
Strained-Silicon / Monte Carlo / Full band / channel orientation / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 256, SDM2006-171, pp. 65-69, 2006年9月. |
| 資料番号 |
SDM2006-171 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM VLD |
| 開催期間 |
2006-09-25 - 2006-09-26 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2006-09-SDM-VLD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
To be announced |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
歪シリコン / Strained-Silicon |
| キーワード(2)（和/英） |
モンテカルロ / Monte Carlo |
| キーワード(3)（和/英） |
フルバンド / Full band |
| キーワード(4)（和/英） |
チャネル方位 / channel orientation |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
羽根 正巳 / Masami Hane / ハネ マサミ |
| 第1著者 所属（和/英） |
NEC (略称： NEC)
NEC (略称： NEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
池澤 健夫 / Takeo Ikezawa / イケザワ タケオ |
| 第2著者 所属（和/英） |
NEC情報システムズ (略称： NEC情報システムズ)
NEC (略称： NEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
河田 道人 / Michihito Kawada / カワタ ミチヒト |
| 第3著者 所属（和/英） |
NEC情報システムズ (略称： NEC情報システムズ)
NEC (略称： NEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
江崎 達也 / Tatsuya Ezaki / エザキ タツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山本 豊二 / Toyoji Yamamoto / ヤマモト トヨジ |
| 第5著者 所属（和/英） |
MIRAI-ASET (略称： MIRAI-ASET)
MIRAI-ASET (略称： MIRAI-ASET) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-09-26 16:15:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
VLD2006-50, SDM2006-171 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.254(VLD), no.256(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.65-69 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2006-09-18 (VLD, SDM) |