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講演抄録/キーワード
講演名 2006-10-05 13:50
Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
大来英之見田充郎佐野芳明丸井俊治伊藤正紀星 真一戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 269, ED2006-154, pp. 13-18, 2006年10月.
資料番号 ED2006-154 
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2006-10-05 - 2006-10-06 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2006-10-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) RF characteristics of AlGaN/GaN-HEMTs on Si substrates 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大来 英之 / Hideyuki Okita / オオキタ ヒデユキ
第1著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 見田 充郎 / Juro Mita / ミタ ジュウロウ
第2著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 芳明 / Yoshiaki Sano / サノ ヨシアキ
第3著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸井 俊治 / Toshiharu Marui / マルイ トシハル
第4著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 正紀 / Masanori Itoh / イトウ マサノリ
第5著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 星 真一 / Shinichi Hoshi / ホシ シンイチ
第6著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 戸田 典彦 / Fumihiko Toda / トダ フミヒコ
第7著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 関 昇平 / Shohei Seki / セキ ショウヘイ
第8著者 所属(和/英) 沖電気工業株式会社 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称: Oki)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ
第9著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-10-05 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2006-154, CPM2006-91, LQE2006-58 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 


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