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講演抄録/キーワード
講演名 2006-10-06 14:05
CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
新井雅俊杉本浩一江川慎一馬場太一澤田 勝本田 徹工学院大
抄録 (和) パルス状原料供給を行った化合物原料分子線堆積(CS-MBD)法を用いてGaN薄膜の製作を行った.パルス状原料供給により,堆積中にインターバル時間を導入することでGaN薄膜中の余剰なGaが減少した.インターバル時間を増加することによって,GaN薄膜中の余剰なGaが減少した.カソードルミネッセンス(CL)測定の結果より,薄膜中の余剰なGaが減少するにしたがって発光強度が上昇した.また,堆積したGaN薄膜を発光層に用いた薄膜型エレクトロルミネッセントデバイス(TF-ELDs)の製作を行った.このTF-ELDより,390 nm付近にピークを有する近紫外発光が得られた. 
(英) GaN films were deposited at low temperature by compound-source molecular beam deposition (CS-MBD) with pulsed-source feeding. As the interval time of the pulsed-source feeding during the GaN deposition was increased, the amount of excess Ga in the deposited films was decreased. Cathodoluminescence (CL) intensity was improved with the decrease in the amount of excess Ga in the deposited films. GaN-based thin-film electroluminescent devices (TF-ELDs) using the deposited films were fabricated. The TF-ELDs were operated and Near-ultraviolet (UV) light emission, whose peak wavelength was located 390 nm, was observed from the devices.
キーワード (和) GaN / EL / CL / MBE / / / /  
(英) GaN / EL / CL / MBE / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 271, LQE2006-73, pp. 93-96, 2006年10月.
資料番号 LQE2006-73 
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2006-10-05 - 2006-10-06 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2006-10-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaN films deposited by CS-MBD with pulsed source feeding 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) EL / EL  
キーワード(3)(和/英) CL / CL  
キーワード(4)(和/英) MBE / MBE  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 雅俊 / Masatoshi Arai / アライ マサトシ
第1著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉本 浩一 / Koichi Sugimoto / スギモト コウイチ
第2著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 慎一 / Shinichi Egawa / エガワ シンイチ
第3著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬場 太一 / Taichi Baba / ババ タイチ
第4著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤田 勝 / Masaru Sawada / サワダ マサル
第5著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 徹 / Tohru Honda / ホンダ トオル
第6著者 所属(和/英) 工学院大学 (略称: 工学院大)
Kogakuin University (略称: Kogakuin Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-10-06 14:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2006-169, CPM2006-106, LQE2006-73 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) 
ページ範囲 pp.93-96 
ページ数
発行日 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) 


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