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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2006-10-06 10:20 Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 ○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 |
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| 抄録 | （和） | GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition：ISBT)はフェムト秒オーダーの超高速緩和現象が光通信波長帯において実現できることから次世代の光通信デバイスへの応用が期待されている。一方、GaNナノコラムは貫通転位を含まず優れた結晶性を有する高品質ナノ結晶である。本研究ではRF-MBE法によってSi(111)基板上GaNナノコラムにGaN/AlN多重量子ディスク(MQD)構造を内在化した結晶を成長し、光検出器の試作と光通信波長域における特性評価を行った。成長した試料の光吸収スペクトルを測定したところP偏光にて波長1.59umの吸収ピークが観測された。表面に直径500umの厚膜電極を形成し光検出器とした。波長1.47umレーザ光を入射したところ室温における光検出に成功した。基板裏面から光を入射した場合、成長層からの表面入射に比べて、5倍の検出感度をもつことが測定された。受光特性の偏光依存性や波長依存性の評価により光検出の起源がISBTであることが示唆された。 |
| （英） | Intersubband transition (ISBT) in GaN/AlN multiple quantum structure is an attractive candidate for the mechanism of next generation optical communication devices due to optical communication wavelength (1.55um) carrier transition with ultrafast carrier relaxation time (140fs). On the other hand, the GaN nanocolumn has high crystalline due to dislocation free nature. In this study, we fabricated to photodetector structure and detection characteristics were evaluated, GaN nanocolumn were grown on Si(111) substrate inserting GaN/AlN multiple quantum disk (MQD) by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). The absorption peak at 1.59um by P-polarization light was observed. On the nanocolumn wafer Ti/Al thick electrode was deposited. The photodetection of GaN/AlN-MQD was occurred by irradiating the 1.47um wavelength laser light at room temperature for the first time. The backside illumination has five times larger detectioncurrent than the surface illumination. Moreover, to confirm whether the principle of operation was ISBT, the dependence of polarization and wavelength etc. were evaluated. Those measurements were suggested that the origin of photodetection be ISBT because behavior to follow to the ISBT phenomenon of photocurrent had been seen. | |
| キーワード | （和） | GaN/AlN / サブバンド間遷移 / 光通信波長帯 / 光検出器 / ナノコラム / / / |
| （英） | GaN/AlN / intersubband transition / optical communication wavelength / photodetector / nanocolumn / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 271, LQE2006-67, pp. 63-67, 2006年10月. | |
| 資料番号 | LQE2006-67 | |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2006-10-05 - 2006-10-06 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2006-10-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of optical communication wavelength photodetector using GaN/AlN multiple quantum disk nanocolumn on Si(111) substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN/AlN / GaN/AlN |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
| キーワード(3)（和/英） | 光通信波長帯 / optical communication wavelength |
| キーワード(4)（和/英） | 光検出器 / photodetector |
| キーワード(5)（和/英） | ナノコラム / nanocolumn |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 裕行 / Hiroyuki Uchida / ウチダ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大/JST) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大/JST) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2006-10-06 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2006-163, CPM2006-100, LQE2006-67 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.269(ED), no.270(CPM), no.271(LQE) |
| ページ範囲 | pp.63-67 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2006-09-28 (ED, CPM, LQE) |
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