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講演抄録／キーワード
講演名 2006-11-24 15:15
InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ～ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ～
○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（Rockwell）・北田貴弘（徳島大）・下村　哲（愛媛大）・遠藤　聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（奈良高専）・松井敏明（NICT）
抄録 （和） (まだ登録されていません) 
（英） (Not available yet)
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 378, ED2006-180, pp. 21-25, 2006年11月.
資料番号 ED2006-180 
発行日 2006-11-17 (R, ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 ED SDM R  
開催期間 2006-11-24 - 2006-11-24 
開催地（和） 中央電気倶楽部 
開催地（英） Central Electric Club 
テーマ（和） 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 
テーマ（英）  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2006-11-ED-SDM-R 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 
サブタイトル（和） (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 
タイトル（英） Effects of heterointerface flatness on device performance of InP-based HEMT 
サブタイトル（英） Reduction of interface roughness scattering using (411)A-oriented substrate 
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第1著者 所属（和/英） 情報通信研究機構 (略称： NICT)
National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： NICT)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 篠原 啓介 / Keisuke Shinohara / シノハラ ケイスケ
第2著者 所属（和/英） Rockwell (略称： Rockwell)
Rockwell (略称： Rockwell)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 北田 貴弘 / Takahiro Kitada / キタダ タカヒロ
第3著者 所属（和/英） 徳島大学 (略称： 徳島大)
University of Tokushima (略称： Univ.of Tokushima)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 下村 哲 / Satoshi Shimomura / シモムラ サトシ
第4著者 所属（和/英） 愛媛大学 (略称： 愛媛大)
Ehime University (略称： Ehimeiv.)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第5著者 所属（和/英） 富士通研究所 (略称： 富士通研)
Fujitsu Laboratories Limited (略称： Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ） 山下 良美 / Yoshimi Yamashita / ヤマシタ ヨシミ
第6著者 所属（和/英） 富士通研究所 (略称： 富士通研)
Fujitsu Laboratories Limited (略称： Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ） 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ
第7著者 所属（和/英） 富士通研究所 (略称： 富士通研)
Fujitsu Laboratories Limited (略称： Fujitsu Labs.)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ） 冷水 佐壽 / Satoshi Hiyamizu / ヒヤミズ サトシ
第8著者 所属（和/英） 奈良工業高等専門学校 (略称： 奈良高専)
Osaka University/Nara National College of Technology (略称： Osaka Univ./Nara National College of Tech.)
第9著者 氏名（和/英/ヨミ） 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ
第9著者 所属（和/英） 情報通信研究機構 (略称： NICT)
National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： NICT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-11-24 15:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 R2006-35, ED2006-180, SDM2006-198 
巻番号（vol） vol.106 
号番号（no） no.377(R), no.378(ED), no.379(SDM) 
ページ範囲 pp.21-25 
ページ数 5 
発行日 2006-11-17 (R, ED, SDM) 

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