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講演抄録/キーワード
講演名 2006-11-24 15:40
AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
松島孝典中嶋正裕野本一貴佐藤政孝中村 徹法政大
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 378, ED2006-181, pp. 27-31, 2006年11月.
資料番号 ED2006-181 
発行日 2006-11-17 (R, ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
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研究会情報
研究会 ED SDM R  
開催期間 2006-11-24 - 2006-11-24 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2006-11-ED-SDM-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Surface passivation film dependence of 1/f noise characteristic in AlGaN/GaN HEMT 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松島 孝典 / Takanori Matsushima / マツシマ タカノリ
第1著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 正裕 / Masahiro Nakajima / ナカジマ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 野本 一貴 / Kazuki Nomoto / ノモト カズキ
第3著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 政孝 / Masataka Satoh / サトウ マサタカ
第4著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 徹 / Tohru Nakamura / ナカムラ トオル
第5著者 所属(和/英) 法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2006-11-24 15:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 R2006-36, ED2006-181, SDM2006-199 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.377(R), no.378(ED), no.379(SDM) 
ページ範囲 pp.27-31 
ページ数
発行日 2006-11-17 (R, ED, SDM) 


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