| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2006-11-24 14:35
トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性
○澤田睦美・松永慎一郎（富士電機アドバンストテクノロジー）・山路将晴・北村明夫（富士電機デバイステクノロジー）・藤島直人（富士電機アドバンストテクノロジー） |
| 抄録 |
（和） |
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| （英） |
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| キーワード |
（和） |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 378, ED2006-179, pp. 15-20, 2006年11月. |
| 資料番号 |
ED2006-179 |
| 発行日 |
2006-11-17 (R, ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED SDM R |
| 開催期間 |
2006-11-24 - 2006-11-24 |
| 開催地（和） |
中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） |
Central Electric Club |
| テーマ（和） |
半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2006-11-ED-SDM-R |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Hot-carrier reliability in Trench Lateral Power MOSFETs |
| サブタイトル（英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
澤田 睦美 / Mutsumi Sawada / サワダ ムツミ |
| 第1著者 所属（和/英） |
富士電機アドバンストテクノロジー(株） (略称： 富士電機アドバンストテクノロジー)
Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd. (略称： Fuji Electric AT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松永 慎一郎 / Shinichiro Matsunaga / マツナガ シンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） |
富士電機アドバンストテクノロジー(株） (略称： 富士電機アドバンストテクノロジー)
Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd. (略称： Fuji Electric AT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山路 将晴 / Masaharu Yamaji / ヤマジ マサハル |
| 第3著者 所属（和/英） |
富士電機デバイステクノロジー（株） (略称： 富士電機デバイステクノロジー)
Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. (略称： Fuji Electric DT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
北村 明夫 / Akio Kitamura / キタムラ アキオ |
| 第4著者 所属（和/英） |
富士電機デバイステクノロジー（株） (略称： 富士電機デバイステクノロジー)
Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. (略称： Fuji Electric DT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
藤島 直人 / Naoto Fujishima / フジシマ ナオト |
| 第5著者 所属（和/英） |
富士電機アドバンストテクノロジー(株） (略称： 富士電機アドバンストテクノロジー)
Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd. (略称： Fuji Electric AT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2006-11-24 14:35:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
R2006-34, ED2006-179, SDM2006-197 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.377(R), no.378(ED), no.379(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.15-20 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2006-11-17 (R, ED, SDM) |
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