| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-01-19 15:50
GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路
○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
| 抄録 |
（和） |
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電源回路に用いるパワー半導体デバイスとして魅力的な素子である。面積あたりのオン抵抗が小さいことでチップ面積の縮小が可能となって、素子容量も低減できる。このため、高耐圧、且つ、高周波動作という従来のSiパワーMOSでは実現できなかった範囲での動作が可能となる。今回、ゲート幅3mmの素子を試作し、耐圧380V、オン抵抗2mΩcm2、最大ドレイン電流1.9Aを得た。この素子を用いて、13.56MHzでのE級アンプ回路動作を確認し、出力13.4W、効率91% が得られた。更に27.1MHzでも出力13.8W、効率89.6％が得られた。これらの結果からGaN-HEMTの高電圧・高周波動作の可能性が示された。 |
| （英） |
GaN-HEMTs can realize high-voltage and ultra-low on-resistance due to high critical electric field and high electron mobility in 2DEG, and are attractive for the power switching device in motor driving systems and power supply systems. The device capacitance can be reduced, because the chip area can be shrunken by ultra-low specific on-resistance. Therefore GaN-HEMTs can operate at high-voltage and high-frequency condition, in which the conventional Si power device cannot be applied. The GaN-HEMT with the gate width of 3mm was fabricated and obtained the breakdown voltage of 380V, the on-resistance of 2mOhmcm2 and the maximum drain current of 1.9A. A 13.56MHz class-E amplifier circuit was demonstrated using the fabricated device and achieved the output power of 13.4W with the power efficiency of 91%. Moreover, a 27.1MHz circuit also achieved the output power of 13.8W with the power efficiency of 89.6%. These results show that high voltage GaN-devices are suitable for high frequency switching applications under high DC input voltages. |
| キーワード |
（和） |
GaN-HEMT / パワーデバイス / 高耐圧 / / / / / |
| （英） |
GaN-HEMT / Power Device / High Voltage / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-237, pp. 205-208, 2007年1月. |
| 資料番号 |
ED2006-237 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
MW ED |
| 開催期間 |
2007-01-17 - 2007-01-19 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-01-MW-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
High Voltage and High Frequency( over10MHz) Class-E Power-Supplies Using a GaN-HEMT |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） |
パワーデバイス / Power Device |
| キーワード(3)（和/英） |
高耐圧 / High Voltage |
| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
齋藤 渉 / Wataru Saito / サイトウ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） |
株式会社東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： Toshiba Semiconductor) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
土門 知一 / Tomokazu Domon / ドモン トモカズ |
| 第2著者 所属（和/英） |
株式会社東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Toshiba Corporation Research & Development Center (略称： Toshiba R & D Center) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ |
| 第3著者 所属（和/英） |
株式会社東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Toshiba Corporation Research & Development Center (略称： Toshiba R & D Center) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大村 一郎 / Ichiro Omura / オオムラ イチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） |
株式会社東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： Toshiba Semiconductor) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-01-19 15:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2006-237, MW2006-190 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.459(ED), no.460(MW) |
| ページ範囲 |
pp.205-208 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
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