講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-01-19 13:00
GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器 ○山本和也・宮下美代・小川喜之・三浦 猛・紫村輝之(三菱電機) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-231 MW2006-184 |
抄録 |
(和) |
GaAs-HBTプロセスで作製可能なベース・コレクタダイオードを用いた3.5GHz帯無線通信用0/20-dBステップ減衰器について述べる.低バイアス電流でより大きな許容送信電力特性を得ることができるAC結合スタック型ダイオードスイッチ回路を基本スイッチ素子として用いることにより,従来構成のダイオードスイッチ減衰器に比べて,減衰器の許容送信電力特性を同じバイアス電流条件下で6dB以上改善した.また本減衰器は,歪み特性(IM3)改善のために減衰モード時だけ動作するシャント型ダイオードリニアライザを備えることにより減衰モード時の入力電力16~18dBmにおいて,IM3を約7dB以上改善した.試作した0/20-dB減衰器の主な実験結果は以下の通りである.電源電圧5V,通過/減衰モード時の消費電流及び通過損失は各々3.8mA/6.8mA,1.4dB/20dB,両モードにおける許容送信電力は18dBm以上である. |
(英) |
This paper describes a GaAs-HBT compatible, base-collector diode step attenuator for 3.5-GHz band wireless applications. The attenuator uses an AC-coupled, stacked type diode switch topology featuring high power handling capability with low bias current operation. Compared to a conventional diode switch topology, the topology can improve the capability of more than 6 dB with the same bias current. In addition, successful incorporation of a shunt diode linearizer into the attenuator gives the IM3 distortion improvement of more than 7 dB in the high power ranging from 16 dBm to 18 dBm in the 20-dB attenuation mode. Measurement results are as follows: 1.4/20-dB insertion loss, and more than 18-dBm power handling capability (P0.2dB), and low bias current of 3.8/6.8 mA in thru/attenuation modes at 5 V. |
キーワード |
(和) |
無線通信 / GaAs / HBT / ダイオード / 減衰器 / / / |
(英) |
Wireless communication / GaAs / HBT / Diode / Step Attenuator / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-231, pp. 173-178, 2007年1月. |
資料番号 |
ED2006-231 |
発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-231 MW2006-184 |
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