| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-01-19 13:00
GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
○山本和也・宮下美代・小川喜之・三浦 猛・紫村輝之（三菱電機） |
| 抄録 |
（和） |
GaAs-HBTプロセスで作製可能なベース・コレクタダイオードを用いた3.5GHz帯無線通信用0/20-dBステップ減衰器について述べる．低バイアス電流でより大きな許容送信電力特性を得ることができるAC結合スタック型ダイオードスイッチ回路を基本スイッチ素子として用いることにより，従来構成のダイオードスイッチ減衰器に比べて，減衰器の許容送信電力特性を同じバイアス電流条件下で6dB以上改善した．また本減衰器は，歪み特性(IM3)改善のために減衰モード時だけ動作するシャント型ダイオードリニアライザを備えることにより減衰モード時の入力電力16～18dBmにおいて，IM3を約7dB以上改善した．試作した0/20-dB減衰器の主な実験結果は以下の通りである．電源電圧5V，通過／減衰モード時の消費電流及び通過損失は各々3.8mA/6.8mA，1.4dB/20dB，両モードにおける許容送信電力は18dBm以上である． |
| （英） |
This paper describes a GaAs-HBT compatible, base-collector diode step attenuator for 3.5-GHz band wireless applications. The attenuator uses an AC-coupled, stacked type diode switch topology featuring high power handling capability with low bias current operation. Compared to a conventional diode switch topology, the topology can improve the capability of more than 6 dB with the same bias current. In addition, successful incorporation of a shunt diode linearizer into the attenuator gives the IM3 distortion improvement of more than 7 dB in the high power ranging from 16 dBm to 18 dBm in the 20-dB attenuation mode. Measurement results are as follows: 1.4/20-dB insertion loss, and more than 18-dBm power handling capability (P0.2dB), and low bias current of 3.8/6.8 mA in thru/attenuation modes at 5 V. |
| キーワード |
（和） |
無線通信 / GaAs / HBT / ダイオード / 減衰器 / / / |
| （英） |
Wireless communication / GaAs / HBT / Diode / Step Attenuator / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-231, pp. 173-178, 2007年1月. |
| 資料番号 |
ED2006-231 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
MW ED |
| 開催期間 |
2007-01-17 - 2007-01-19 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-01-MW-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
A 0/20-dB Step Attenuator Using GaAs-HBT Compatible, AC-Coupled, Stack-Type Base-Collector Diode Switches |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
無線通信 / Wireless communication |
| キーワード(2)（和/英） |
GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） |
HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） |
ダイオード / Diode |
| キーワード(5)（和/英） |
減衰器 / Step Attenuator |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山本 和也 / Kazuya Yamamoto / ヤマモト カズヤ |
| 第1著者 所属（和/英） |
三菱電機 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
宮下 美代 / Miyo Miyashita / ミヤシタ ミヨ |
| 第2著者 所属（和/英） |
三菱電機 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小川 喜之 / Nobuyuki Ogawa / オガワ ノブユキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
三菱電機 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三浦 猛 / Takeshi Miura / ミウラ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） |
三菱電機 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
紫村 輝之 / Teruyuki Shimura / シムラ テルユキ |
| 第5著者 所属（和/英） |
三菱電機 (略称： 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-01-19 13:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2006-231, MW2006-184 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.459(ED), no.460(MW) |
| ページ範囲 |
pp.173-178 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
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