講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-01-19 14:25
AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 ○松尾尚慶・上野弘明・上田哲三・田中 毅(松下電器) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-234 MW2006-187 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
/ / / / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-234, pp. 189-192, 2007年1月. |
資料番号 |
ED2006-234 |
発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-234 MW2006-187 |
|