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| 講演名 |
2007-01-19 10:10
携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ
○竹中 功・石倉幸治・高橋英匡・長谷川浩一・上田 隆・栗原俊道・麻埜和則・岩田直高（NECエレクトロニクス） |
| 抄録 |
（和） |
携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAs ヘテロ接合FETにより構成し、ドハティ構成のメイン増幅器とピーク増幅器の歪相殺効果を利用して2.14GHzで飽和出力330Wを得ながら、2.135GHz+2.145GHzのW-CDMA 2波入力で約6dB出力バックオフの49dBm出力時に3次相互歪-37dBcの低歪特性とドレイン効率42%の高効率特性の両立を実現した。さらに、ドハティ増幅動作時におけるメイン増幅器とピーク増幅器のAM-AM, AM-PM特性を評価する手法を提案し、歪相殺効果を実験的に明らかにした。 |
| （英） |
A low distortion Doherty high-power amplifier has been developed for cellular base stations. The amplifier delivered 330W-saturated output-power at 2.14GHz with a pair of 28V operated 150W GaAs heterojunction field-effect-transistors. Utilizing the distortion cancellation effect between the main and the peak amplifiers in Doherty configuration, it demonstrated low third order intermodulation of -37dBc with a high drain efficiency of 42% at an output power of 49dBm around 6dB back-off level under the two-carrier wideband code division multiple access (W-CDMA) signals of 2.135GHz and 2.145GHz. In addition, we proposed the evaluation techniques to obtain each AM-AM and AM-PM characteristics of the main and the peak amplifiers in an operating Doherty amplifier, and experimentally proved the distortion cancellation effect in the GaAs FET Doherty amplifier. |
| キーワード |
（和） |
歪相殺 / ドハティ増幅器 / 効率 / ヘテロ接合FET / 高出力 / W-CDMA / / |
| （英） |
Distortion cancellation / Doherty amplifier / efficiency / heterojunction field-effect-transistor / high power / wideband code division multiple access (W-CDMA) / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-227, pp. 149-154, 2007年1月. |
| 資料番号 |
ED2006-227 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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