| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-01-19 13:50
Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ
○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林 隆（NTT） |
| 抄録 |
（和） |
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rmsで1nm以下)および急峻なヘテロ界面を得た。得られたヘテロ構造における移動度の値は1,200cm2/Vs(AlN挿入層なし)および1,800cm2/Vs(AlN挿入層あり)であった。この移動度の値はこれまでに報告された本材料系における最良値である。本ヘテロ構造エピ上にゲート長0.6umのHEMTを作製し、DC特性を評価した。AlN挿入層の有無によらず良好なピンチオフ特性を示し、Idssはおよそ1 A/mm、最大gmはおよそ200 mS/mmであった。 |
| （英） |
We successfully fabricated high-quality InAlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) structure on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). X-ray diffraction measurements revealed that InAlN/GaN heterostructures grown under optimal conditions have flat surface and abrupt heterointerface. Electron mobility of about 1,200 and over 1,800 cm2/Vs are obtained for InAlN/GaN heterostructures without and with AlN interlayer, respectively. These mobility values are the highest ones ever reported for InAlN/GaN grown on Si substrates. DC characteristics of HEMT with Lg = 0.6 um showed good pinch-off characteristics regardless of whether or not there was an AlN interlayer. The value of Idss was around 1 A/mm, and the maximum gm was about 200 mS/mm. |
| キーワード |
（和） |
InAlN / GaN / Si基板 / MOCVD / HEMT / / / |
| （英） |
InAlN / GaN / Si substrate / MOCVD / HEMT / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-233, pp. 183-187, 2007年1月. |
| 資料番号 |
ED2006-233 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
MW ED |
| 開催期間 |
2007-01-17 - 2007-01-19 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-01-MW-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
High-quality InAlN/GaN HEMT epi-wafer grown on Si (111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
InAlN / InAlN |
| キーワード(2)（和/英） |
GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） |
Si基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） |
MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） |
HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe / ワタナベ ノリユキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
日本電信電話 (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
日本電信電話 (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
| 第3著者 所属（和/英） |
日本電信電話 (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小田 康裕 / Yasuhiro Oda / オダ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） |
日本電信電話 (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
八木 拓真 / Takuma Yagi / ヤギ タクマ |
| 第5著者 所属（和/英） |
NTTアドバンステクノロジ (略称： NTT-AT)
NTT-AT (略称： NTT-AT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小林 隆 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） |
日本電信電話 (略称： NTT)
NTT (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-01-19 13:50:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2006-233, MW2006-186 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.459(ED), no.460(MW) |
| ページ範囲 |
pp.183-187 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
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