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| 講演名 | 2007-01-19 13:25 ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 ○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰 保（北大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2006-232 MW2006-185 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、評価を行った。作製したデバイスは、細線幅を500nm以下まで小さくすることにより、しきい値電圧が正方向にシフトする結果が得られた。WPGでは、細線構造の上方向と横方向からの電界制御が可能であり、2次元ポテンシャル計算を行い細線構造の解析をしたところ、WPG構造において細線幅が小さいデバイスは、幅が大きいものに比べ電界制御の効果を大きく受けることを確認した。その一方で、プロセスダメージに起因した結晶欠陥により細線の空乏が生じたことで、しきい値電圧のずれやドレイン電流の低下が見られた。 |
| （英） | Schottky wrap gate (WPG) controlled AlGaN/GaN nanowire FETs were fabricated and characterized. The devices with channel width less than 500 nm showed Vth shift toward a positive bias direction. A 2D potential simulation predicted lateral field effect from the mesa-edge in addition to the normal gate field, resulting in the Vth shift. However, the Vth shift obtained experimentally was much larger than the calculated one, probably due to unexpected depletion of channel associated with process-induced defects. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / ショットキーラップゲート / HEMT / しきい値電圧制御 / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / schottky wrap gate (WPG) / HEMT / threshold voltage control / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-232, pp. 179-182, 2007年1月. | |
| 資料番号 | ED2006-232 | |
| 発行日 | 2007-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2006-232 MW2006-185 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2007-01-17 - 2007-01-19 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of Schottky Wrap Gate Controlled AlGaN/GaN Nanowire FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーラップゲート / schottky wrap gate (WPG) |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | しきい値電圧制御 / threshold voltage control |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 隆博 / Takahiro Tamura / タムラ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Hokkaido University, Reserch Center for Integrated Quantum Electronics (略称： Hokkaido Univ., RCIQE) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Hokkaido University, Reserch Center for Integrated Quantum Electronics (略称： Hokkaido Univ., RCIQE) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Hokkaido University, Reserch Center for Integrated Quantum Electronics (略称： Hokkaido Univ., RCIQE) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Hokkaido University, Reserch Center for Integrated Quantum Electronics (略称： Hokkaido Univ., RCIQE) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-01-19 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2006-232, MW2006-185 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.459(ED), no.460(MW) |
| ページ範囲 | pp.179-182 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-01-10 (ED, MW) |
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