講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-01-19 11:10
高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル ○井上 晃・天清宗山・後藤清毅・國井徹郎・奥 友希・石川高英(三菱電機) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-229 MW2006-182 |
抄録 |
(和) |
非線形ドレイン抵抗を考慮したミリ波帯高出力PHEMTモデルを提案する.高出力ミリ波帯HEMTでは動作電圧を高くするためにゲートドレイン間距離を長くするが,ゲートドレイン間における電子速度の飽和によりドレイン抵抗が非線形性を示す.2.1GHzにおいては,非線形ドレイン抵抗は従来モデルで用いられている線形抵抗のように振舞うが,Ka帯においては非線形ドレイン抵抗が大きく寄与し,大きな電力損失が生ずる.この周波数に依存する電力損失について,GaAsPHEMTを用いて実験により検証を行い,本モデルが正しいことを確かめた.本モデルは簡単な構成でありながら2.1GHz及びKa帯における大信号特性を正確に計算できる. |
(英) |
A millimeter wave high power PHEMT modelwith a nonlinear drain resistance Rd is proposed. The non-linear Rd arises from electron velocity saturation in the
gate-drain gap. At 2.1 GHz, the nonlinear Rd behaves like a conventional linear resistor. However, at Ka band, the nonlinearity of the resistance results in a large power loss. This frequency dependent phenomenon has been experimentally verified in millimeter-wave GaAs PHEMTs. Our proposed simple model accurately describes the power characteristics of these devices at 2.1 GHz and in Ka band. |
キーワード |
(和) |
PHEMT / トランジスタモデル / 非線形 / ドレイン抵抗 / FET / ミリ波 / 損失 / HEMT |
(英) |
PHEMT / model / nonlinear / drain / resistance / FET / millimeterwave / loss |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-229, pp. 161-166, 2007年1月. |
資料番号 |
ED2006-229 |
発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-229 MW2006-182 |