| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-01-19 11:35
InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
○上綱秀樹（NTT）・山根康郎（NEL）・徳光雅美（NTT）・菅原裕彦（NTT-AT）・榎木孝知（NTT） |
| 抄録 |
（和） |
Cold FETとしてInP HEMTを使用したSP8Tスイッチと三層配線プロセスで構成した伝送線路を組み合わせた8x8スイッチマトリクスMMICについて述べる。従来構成と比較して所要SP8Tスイッチ数、伝送線路数および配線交差数を削減できる回路構成により、0.4mm2の領域に8x8スイッチマトリクスを実現する。低ON抵抗・OFF容量積のInP HEMTを適用することにより、シリーズ構成で直流から10GHz以上の広帯域で動作するSP8Tスイッチを構成できる。試作したMMICは、10GHz以下の周波数で、挿入損失3.9dB以下、アイソレーション26.5dB以上の良好な特性を示し、12.5Gbit/sまでのデータ信号に対してエラーフリー動作を達成する。 |
| （英） |
An 8x8 switch matrix MMIC using cold-FET SP8T switches is presented. InP
HEMTs with a low Ron・Coff product enable us to construct a dc-to-over-10-GHz SP8T switch in a series configuration. The multilayer interconnection with top-metal- and dielectric-layer thickness of 5 um allows us to configure interconnection transmission lines quite compactly, which is essential for wideband operation. The switch matrix IC using these technologies with a novel size-reduction technique is as small as 0.4 mm2
(core area) and achieves low insertion loss (<3.9 dB) and high isolation
(>26.5 dB) below 10 GHz. We confirmed error-free operation up to 12.5 Gbit/s with good eye openings even when eight data signals are simultaneously input to the switch IC. |
| キーワード |
（和） |
FETスイッチ / InP HEMT / MMICスイッチ / 広帯域 / 小型 / 低消費電力 / / |
| （英） |
FET switches / InP HEMT / MMIC switches / wideband / small / low power / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 459, ED2006-230, pp. 167-171, 2007年1月. |
| 資料番号 |
ED2006-230 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
MW ED |
| 開催期間 |
2007-01-17 - 2007-01-19 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-01-MW-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
A Miniaturized, Wideband 8x8 Switch Matrix MMIC Using InP HEMTs |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
FETスイッチ / FET switches |
| キーワード(2)（和/英） |
InP HEMT / InP HEMT |
| キーワード(3)（和/英） |
MMICスイッチ / MMIC switches |
| キーワード(4)（和/英） |
広帯域 / wideband |
| キーワード(5)（和/英） |
小型 / small |
| キーワード(6)（和/英） |
低消費電力 / low power |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
上綱 秀樹 / Hideki Kamitsuna / カミツナ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山根 康郎 / Yasuro Yamane / ヤマネ ヤスロウ |
| 第2著者 所属（和/英） |
NTTエレクトロニクス (略称： NEL)
NTT Electronics (略称： NEL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
徳光 雅美 / Masami Tokumitsu / トクミツ マサミ |
| 第3著者 所属（和/英） |
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
菅原 裕彦 / Hirohiko Sugahara / スガハラ ヒロヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） |
NTTアドバンステクノロジ (略称： NTT-AT)
NTT Adavanced Technology (略称： NTT-AT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
榎木 孝知 / Takatomo Enoki / エノキ タカトモ |
| 第5著者 所属（和/英） |
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-01-19 11:35:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2006-230, MW2006-183 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.459(ED), no.460(MW) |
| ページ範囲 |
pp.167-171 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
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