講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-01-19 16:15
X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発 ○松下景一・柏原 康・増田和俊・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男(東芝) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-238 MW2006-191 |
抄録 |
(和) |
X帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、9.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)30Vにて、最大出力81.3W(49.1dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.5dB, 電力付加効率(PAE)は34%であった。 |
(英) |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for X-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 23.04 mm gate periphery exhibits output power of over 81.3W with a power added efficiency (PAE) of 34% under VDS=30V, CW operating condition at 9.5GHz. |
キーワード |
(和) |
GaN / AlGaN / FET / HEMT / X帯 / 80W / 81.3W / 50W |
(英) |
GaN / AlGaN / FET / HEMT / X-band / 80W / 81.3W / 50W |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 460, MW2006-191, pp. 209-212, 2007年1月. |
資料番号 |
MW2006-191 |
発行日 |
2007-01-10 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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