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講演抄録/キーワード
講演名 2007-01-19 16:15
X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発
松下景一柏原 康増田和俊桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-238 MW2006-191
抄録 (和) X帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、9.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)30Vにて、最大出力81.3W(49.1dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.5dB, 電力付加効率(PAE)は34%であった。 
(英) AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for X-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 23.04 mm gate periphery exhibits output power of over 81.3W with a power added efficiency (PAE) of 34% under VDS=30V, CW operating condition at 9.5GHz.
キーワード (和) GaN / AlGaN / FET / HEMT / X帯 / 80W / 81.3W / 50W  
(英) GaN / AlGaN / FET / HEMT / X-band / 80W / 81.3W / 50W  
文献情報 信学技報, vol. 106, no. 460, MW2006-191, pp. 209-212, 2007年1月.
資料番号 MW2006-191 
発行日 2007-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2006-238 MW2006-191

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2007-01-17 - 2007-01-19 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 超高速・超高周波デバイスおよびIC/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2007-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Over 80W Output Power X-band AlGaN/GaN HEMT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(3)(和/英) FET / FET  
キーワード(4)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(5)(和/英) X帯 / X-band  
キーワード(6)(和/英) 80W / 80W  
キーワード(7)(和/英) 81.3W / 81.3W  
キーワード(8)(和/英) 50W / 50W  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松下 景一 / Keiichi Matsushita / マツシタ ケイイチ
第1著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柏原 康 / Yasushi Kashiwabara / カシワバラ ヤスシ
第2著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 和俊 / Kazutoshi Masuda / マスダ カズトシ
第3著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜井 博幸 / Hiroyuki Sakurai / サクライ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高塚 眞治 / Shinji Takatsuka / タカツカ シンジ
第5著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 一考 / Kazutaka Takagi / タカギ カズタカ
第6著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 川崎 久夫 / Hisao Kawasaki /
第7著者 所属(和/英) 東芝社会システム社 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ヨシハル
第8著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ
第9著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-01-19 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 ED2006-238, MW2006-191 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.459(ED), no.460(MW) 
ページ範囲 pp.209-212 
ページ数
発行日 2007-01-10 (ED, MW) 


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