| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-01-26 13:00
［招待講演］高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来
○木村紳一郎（日立） |
| 抄録 |
（和） |
比例縮小則に沿って微細化と高性能化，そして，低消費電力化を実現してきたSi MOSFETの現状を紹介する．MOSFETは微細化に伴ってしきい電圧を下げることで，性能を向上させながら電源電圧を下げてきた．しかし，しきい電圧の低下はリーク電流の増加を招くために，これ以上下げるのは困難な状況になっている．しきい電圧が下がらないという状況下，MOSFETはどのようにして性能向上を実現しようとしているのかを，提案されている幾つかのMOSFET（歪み応用，Fin-FETなど）に触れながら議論を進める． |
| （英） |
Si MOSFET have been miniaturized so far based on the scaling theory, and significantly contributed to the progress of high performance and low power LSIs. Performance improvement was mainly achieved by shrinking the gate length of the MOSFET accompanied by threshold voltage reduction. However, reduction of the threshold voltage also causes power consumption increase due to increase of leakage current. In this article, new technologies such as strained Si MOSFETs and Fin-FETs are introduced, and how these new devices cope with the difficulties arising from the scaling are discussed from the viewpoint of the low power technology. |
| キーワード |
（和） |
低電力 / 歪み応用 / / / / / / |
| （英） |
Ｓｉ / ＬＳＩ / ＭＯＳＦＥＴ / ＦｉｎＦＥＴ / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 503, SCE2006-34, pp. 25-30, 2007年1月. |
| 資料番号 |
SCE2006-34 |
| 発行日 |
2007-01-19 (SCE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SCE |
| 開催期間 |
2007-01-26 - 2007-01-26 |
| 開催地（和） |
超電導工学研究所（東雲) |
| 開催地（英） |
SRL |
| テーマ（和） |
デジタル、一般 |
| テーマ（英） |
Digital electronics, etc |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SCE |
| 会議コード |
2007-01-SCE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Present status and prospects of high-speed and low-power silicon devices |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
低電力 / Ｓｉ |
| キーワード(2)（和/英） |
歪み応用 / ＬＳＩ |
| キーワード(3)（和/英） |
/ ＭＯＳＦＥＴ |
| キーワード(4)（和/英） |
/ ＦｉｎＦＥＴ |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
木村 紳一郎 / Shin-ichiro Kimura / |
| 第1著者 所属（和/英） |
日立製作所 (略称： 日立)
Hitachi Ltd. (略称： Hitachi Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-01-26 13:00:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
SCE |
| 資料番号 |
SCE2006-34 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.503 |
| ページ範囲 |
pp.25-30 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2007-01-19 (SCE) |
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