講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-01-26 13:00
[招待講演]高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来 ○木村紳一郎(日立) エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2006-34 |
抄録 |
(和) |
比例縮小則に沿って微細化と高性能化,そして,低消費電力化を実現してきたSi MOSFETの現状を紹介する.MOSFETは微細化に伴ってしきい電圧を下げることで,性能を向上させながら電源電圧を下げてきた.しかし,しきい電圧の低下はリーク電流の増加を招くために,これ以上下げるのは困難な状況になっている.しきい電圧が下がらないという状況下,MOSFETはどのようにして性能向上を実現しようとしているのかを,提案されている幾つかのMOSFET(歪み応用,Fin-FETなど)に触れながら議論を進める. |
(英) |
Si MOSFET have been miniaturized so far based on the scaling theory, and significantly contributed to the progress of high performance and low power LSIs. Performance improvement was mainly achieved by shrinking the gate length of the MOSFET accompanied by threshold voltage reduction. However, reduction of the threshold voltage also causes power consumption increase due to increase of leakage current. In this article, new technologies such as strained Si MOSFETs and Fin-FETs are introduced, and how these new devices cope with the difficulties arising from the scaling are discussed from the viewpoint of the low power technology. |
キーワード |
(和) |
低電力 / 歪み応用 / / / / / / |
(英) |
Si / LSI / MOSFET / FinFET / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 503, SCE2006-34, pp. 25-30, 2007年1月. |
資料番号 |
SCE2006-34 |
発行日 |
2007-01-19 (SCE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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