| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-02-02 13:00
多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流
大倉健作・北出哲也・○中島安理（広島大） |
| 抄録 |
（和） |
単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までに蓄積したSi集積化技術を利用できる利点を持っている。我々は、クーロン振動の谷電流に寄与するコトンネリング電流が低減されることが期待できる多重(3つの)ドットを有するSi SETを作製し、電流電圧特性を系統的に測定してコトンネリング理論と比較した。その結果、クーロン振動の谷電流の温度依存性はドレイン電圧が低い場合、40 K以上では非弾性コトンネリング理論によってよく記述されることが分かった。ドットを多重化することで谷電流が指数関数的に抑制されるため、多重ドットSi SETは回路動作にとって有望であることが分かった。 |
| （英） |
Single-electron transistors (SETs) are promising candidates for use as basic elements of future low-power integrated circuits. The use of Si for their construction is important because Si's compatibility with conventional fabrication techniques for large-scale integrated devices. We fabricated Si SETs with three islands, in which the cotunneling current was expected to be suppressed. The valley current of the obtained Coulomb oscillation was systematically investigated in comparison with the cotunneling theory. The temperature dependence of the valley current was well described by the inelastic cotunneling theory above 40 K in the low drain voltage region. Since the inelastic cotunneling current was confirmed to be dominant in the high temperature region and was exponentially suppressed by multiplexing islands, SETs with multiple islands is promising for the practical application such as reliable circuit operations. |
| キーワード |
（和） |
単電子 / 単電子トランジスタ / コトネリング / 非弾性コトネリング / 多重ドット / ドット / クーロンブロッケード / リーク電流 |
| （英） |
single electron / single-electron transistor / SET / cotunneling / co-tunneling / inelastic / Coulomb blockade / multiple islands |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 520, ED2006-254, pp. 79-82, 2007年2月. |
| 資料番号 |
ED2006-254 |
| 発行日 |
2007-01-25 (ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM ED |
| 開催期間 |
2007-02-01 - 2007-02-02 |
| 開催地（和） |
北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
量子効果デバイス及び関連技術 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-02-SDM-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Cotunneling Current in Si Single-electron Transistor Based on Multiple Islands |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
単電子 / single electron |
| キーワード(2)（和/英） |
単電子トランジスタ / single-electron transistor |
| キーワード(3)（和/英） |
コトネリング / SET |
| キーワード(4)（和/英） |
非弾性コトネリング / cotunneling |
| キーワード(5)（和/英） |
多重ドット / co-tunneling |
| キーワード(6)（和/英） |
ドット / inelastic |
| キーワード(7)（和/英） |
クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(8)（和/英） |
リーク電流 / multiple islands |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大倉 健作 / Kensaku Ohkura / オオクラ ケンサク |
| 第1著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
北出 哲也 / Tetsuya Kitade / キタデ テツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中島 安理 / Anri Nakajima / ナカジマ アンリ |
| 第3著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第3著者 |
| 発表日時 |
2007-02-02 13:00:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2006-254, SDM2006-242 |
| 巻番号（vol） |
vol.106 |
| 号番号（no） |
no.520(ED), no.521(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.79-82 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2007-01-25 (ED, SDM) |
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