講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-03-02 15:40
様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計 ○江沢 徹・関屋大雄・呂 建明・谷萩隆嗣(千葉大) EE2006-69 CPM2006-162 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2006-162 |
抄録 |
(和) |
本研究では, 様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計を行う. シャントキャパシタに含まれるMOSFETの寄生容量の非線形性を考慮したDE級増幅器の従来の解析および設計においては, 理想的なフィルタを導入し, また, MOSFETの寄生容量の変数のひとつである不純物濃度を一つの値で仮定している. しかしながら, 高出力が要求される場合などには低いQ値で設計することが求められ, また不純物濃度はMOSFETの非線形特性を大きく変える. そのため, これらの変数が回路に与える影響を明らかにすることは極めて重要である. 本研究では, 様々なQ値においてMOSFETの不純物濃度の値を変動させたときの回路の設計曲線を数値計算により明らかにする. |
(英) |
This paper presents design of class DE amplifier with nonlinear shunt capacitance with any output Q. It is assumed that output Q is high in the conventional design of class DE amplifier with nonlinear shunt capacitance because the ideal output filter implement. Furthermore, it is assumed that the impurity concentration that one of the variable of MOSFET nonlinear parasitic capacitance is constant. When high power is demanded, it is required to design by a low Q value. Moreover, the impurity concentration greatly change a nonlinear characteristic of MOSFET. Therefore, it is extremely important to clarify what influence these variables exert on the circuit. In this paper, the design curve of the circuit when the impurity concentration of MOSFET are made to change with any output Q is clarified. |
キーワード |
(和) |
DE級増幅器 / シャントキャパシタ / 非線形性 / 不純物濃度 / / / / |
(英) |
Class DE Amplifier / Shunt Capacitance / Nonlinear / Impurity Concentration / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 562, EE2006-69, pp. 41-46, 2007年3月. |
資料番号 |
EE2006-69 |
発行日 |
2007-02-23 (EE, CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EE2006-69 CPM2006-162 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2006-162 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM EE |
開催期間 |
2007-03-02 - 2007-03-02 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
テーマ(和) |
電池技術関連、一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EE |
会議コード |
2007-03-CPM-EE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Design of Class DE Amplifier with Nonlinear Shunt Capacitance with Any Output Q |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
DE級増幅器 / Class DE Amplifier |
キーワード(2)(和/英) |
シャントキャパシタ / Shunt Capacitance |
キーワード(3)(和/英) |
非線形性 / Nonlinear |
キーワード(4)(和/英) |
不純物濃度 / Impurity Concentration |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江沢 徹 / Tooru Ezawa / エザワ トオル |
第1著者 所属(和/英) |
千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
関屋 大雄 / Hiroo Sekiya / セキヤ ヒロオ |
第2著者 所属(和/英) |
千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
呂 建明 / Jianming Lu / ロ ケンメイ |
第3著者 所属(和/英) |
千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
谷萩 隆嗣 / Takashi Yahagi / ヤハギ タカシ |
第4著者 所属(和/英) |
千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2007-03-02 15:40:00 |
発表時間 |
30分 |
申込先研究会 |
EE |
資料番号 |
EE2006-69, CPM2006-162 |
巻番号(vol) |
vol.106 |
号番号(no) |
no.562(EE), no.563(CPM) |
ページ範囲 |
pp.41-46 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2007-02-23 (EE, CPM) |
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