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講演抄録/キーワード
講演名 2007-03-09 13:40
3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの高密度設計法 ~ パターン面積の縮小効果の見積もり ~
渡辺重佳岡本恵介大谷 真湘南工科大エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-240
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 106, no. 552, ICD2006-240, pp. 51-56, 2007年3月.
資料番号 ICD2006-240 
発行日 2007-03-02 (VLD, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2006-240

研究会情報
研究会 ICD VLD  
開催期間 2007-03-07 - 2007-03-09 
開催地(和) メルパルク沖縄 
開催地(英) Mielparque Okinawa 
テーマ(和) システムオンシリコン設計技術ならびにこれを活用したVLSI <オーガナイザ:小林 和淑(京都大学)> 
テーマ(英) System-on-silicon design techniques and related VLSs 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2007-03-ICD-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの高密度設計法 
サブタイトル(和) パターン面積の縮小効果の見積もり 
タイトル(英) Design Method of High Density System LSI with Three-Dimensional Transistor (FinFET) 
サブタイトル(英) Pattern Area Reduction of System LSI 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ
第1著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technolpgy (略称: Shonan Institute of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 恵介 / Keisuke Okamoto / オカモト ケイスケ
第2著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technolpgy (略称: Shonan Institute of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大谷 真 / Makoto Oya / オオヤ マコト
第3著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technolpgy (略称: Shonan Institute of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-03-09 13:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 VLD2006-149, ICD2006-240 
巻番号(vol) vol.106 
号番号(no) no.549(VLD), no.552(ICD) 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数
発行日 2007-03-02 (VLD, ICD) 


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