| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-03-15 13:55
SiO2/SiOx/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ
○須田良幸・長谷川宏巳（東京農工大） |
| 抄録 |
（和） |
金属/SiO2/SiOx/SiC/Si MIS（金属‐絶縁体‐半導体）型の新しい構造からなる，抵抗変化型の不揮発性RAM（RRAM）を提案した．SiOx層およびSiOx/SiC 界面にはC欠損による欠陥準位が形成されていると考えられ，この捕獲準位への電子の充放電により各層の電圧降下が変わることで電子のトンネルの有無が生じ，メモリ素子全体の抵抗値が高抵抗値と低抵抗値の間で変化するという新しいメモリ動作原理を有している．抵抗値比，書込み速度，書込み回数などの個別特性としては実用的な値を示した．今後，構造，作製条件などの性能制御技術の展開によって，さらに，性能が向上すると期待され，また，資源的に豊富な元素のみ（Si，C，O）を用いているため，環境適合性に優れた次世代の高密度メモリとして期待される． |
| （英） |
We have recently proposed a SiO2/SiOx/SiC/Si MIS resistive nonvolatile RAM (RRAM) of a new structure. This memory has a new operation principle that defect states are generated in the SiOx layer and SiOx/SiC interface layer and the memory resistance changes according to the presence or absence of electron tunneling which is caused by the change of the memory layer voltage distribution depending on the presence or absence of electrons at the defect sites. The memory exhibits a resistance ratio, a writing speed, and a writing cycle of practical values which are individually measured. Since the performance is expected to increase by the further development of the device layer structure and fabrication process and the memory is mainly made of environmentally light-load Si, O, C, this memory is expected to be widely used as a next-generation high-density memory with a good environmental suitability. |
| キーワード |
（和） |
不揮発性メモリ / 抵抗変化型メモリ / RRAM / 欠陥準位 / 金属‐酸化物‐半導体 / / / |
| （英） |
Nonvolatile Memory / Resistive Memory / RRAM / Defect States / MOS / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 106, no. 593, SDM2006-256, pp. 11-14, 2007年3月. |
| 資料番号 |
SDM2006-256 |
| 発行日 |
2007-03-08 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
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