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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-03-15 15:25 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術 ○山川晃司・尾崎 徹・金谷宏行・國島 巌・玖村芳典・下城義朗・首藤 晋・日高 修・山田有紀・山崎壮一・浜本毅司・白武慎一郎・高島大三郎・宮川 正（東芝）・大槻純人（東芝マイクロエレクトロニクス） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SDM2006-259 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 106, no. 593, SDM2006-259, pp. 27-32, 2007年3月. | |
| 資料番号 | SDM2006-259 | |
| 発行日 | 2007-03-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2006-259 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-03-15 - 2007-03-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 不揮発性メモリおよび関連プロセス一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Key Process Technology of Reliable Sub Micron Capacitor for High Density Chain-FeRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山川 晃司 / Koji Yamakawa / ヤマカワ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 徹 / Tohru Ozaki / |
| 第2著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金谷 宏行 / Hiroyuki Kanaya / |
| 第3著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 國島 巌 / Iwao Kunishima / |
| 第4著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玖村 芳典 / Yoshinori Kumura / |
| 第5著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下城 義朗 / Yoshiro Shimojo / |
| 第6著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 首藤 晋 / Susumu Shuto / |
| 第7著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日高 修 / Osamu Hidaka / |
| 第8著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 有紀 / Yuki Yamada / |
| 第9著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 壮一 / Soi chi Yamazaki / |
| 第10著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜本 毅司 / Takeshi Hamamoto / |
| 第11著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白武 慎一郎 / Shinichiro Shiratake / |
| 第12著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 大三郎 / Daisaburo Takashima / |
| 第13著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮川 正 / Tadashi Miyakawa / |
| 第14著者 所属（和/英） | （株）東芝 セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Semiconductor (略称： Toshiba) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大槻 純人 / Sumito Ohtsuki / |
| 第15著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス（株） (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス) Toshiba Microelectronics Co. (略称： Toshiba) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-03-15 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2006-259 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | no.593 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-03-08 (SDM) |
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