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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-12 13:00 ［招待講演］双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM（SPin-transfer torque RAM) ○竹村理一郎・河原尊之・三浦勝哉（日立）・早川 純（日立/東北大）・池田正二・李 永珉・佐々木龍太郎（東北大）・後藤 康・伊藤顕知（日立）・目黒敏靖・松倉文礼（東北大）・高橋宏昌（日立/東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大）  ICD2007-6 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-6 |
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| 抄録 | （和） | トンネル磁気抵抗のスピン制御にスピン注入磁化反転方式を用いたSPRAM（SPin-transfer torque RAM）は、高速書き込み・読み出し動作が可能であり、不揮発RAMとして期待されている。我々は、0.2 µmのロジックプロセスと障壁層が酸化マグネシウムのトンネル磁気抵抗変化素子を用いて2MbのSPRAMを試作した。スピン注入磁化反転による書き換え動作を実現するために、書込みデータに従って、スピンの方向をビット毎に制御可能な双方向電流書き換え方式を開発した。さらに、高速な読み出し動作と読み出しディスターブを抑制する平行化方向読み出し方式を採用した。開発した回路は、書き込み時間100nsとアクセス時間40nsでの動作を実現する。 |
| （英） | A 1.8-V 2-Mb SPRAM (SPin-transfer torque RAM) chip using 0.2 µm logic process with MgO tunneling barrier cell demonstrates the circuit technologies for potential low power non-volatile RAM, or universal memory. This chip features: an array scheme with bit-by-bit bi-directional current write to achieve proper spin-transfer torque writing of 100 ns, and parallelizing-direction current reading with low voltage bit-line that leads to 40-ns access time. | |
| キーワード | （和） | ユニバーサルメモリ / 不揮発RAM / 低電力RAM / スピン注入磁化反転 / トンネル磁気抵抗 / 双方向電流書き換え / 平行化方向読み出し / |
| （英） | universal memory / nonvolatile RAM / low-power RAM / spin-transfer torque / TMR / Bi-directional current write / Parallelizing direction current read / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-6, pp. 29-34, 2007年4月. | |
| 資料番号 | ICD2007-6 | |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-6 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） | 大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM（SPin-transfer torque RAM) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 2-Mb SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with Bit-by-bit Bi-Directional Current Write and Parallelizing-Direction Current Read |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ユニバーサルメモリ / universal memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発RAM / nonvolatile RAM |
| キーワード(3)（和/英） | 低電力RAM / low-power RAM |
| キーワード(4)（和/英） | スピン注入磁化反転 / spin-transfer torque |
| キーワード(5)（和/英） | トンネル磁気抵抗 / TMR |
| キーワード(6)（和/英） | 双方向電流書き換え / Bi-directional current write |
| キーワード(7)（和/英） | 平行化方向読み出し / Parallelizing direction current read |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹村 理一郎 / Riichiro Takemura / タケムラ リイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 勝哉 / Katsuya Miura / ミウラ カツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 純 / Jun Hayakawa / ハヤカワ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)日立製作所/東北大学 (略称： 日立/東北大) Hitachi Ltd./Tohoku University (略称： Hitachi/Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 永珉 / Young Min LEE / |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 龍太郎 / Ryutaro Sasaki / ササキ リュウタロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 康 / Yasushi Goto / ゴトウ ヤスシ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ |
| 第9著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 敏靖 / Toshiyasu Meguro / メグロ トシヤス |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松倉 文礼 / Fumihiro Matsukura / マツクラ フミヒロ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 宏昌 / Hiromasa Takahashi / タカハシ ヒロマサ |
| 第12著者 所属（和/英） | (株)日立製作所/東北大学 (略称： 日立/東北大) Hitachi Ltd./Tohoku University (略称： Hitachi/Tohoku Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松岡 秀行 / Hideyuki Matsuoka / マツオカ ヒデユキ |
| 第13著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第14著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-12 13:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-6 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) |
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