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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-12 14:20 低消費電力SoCプラットフィームに適し、電圧スケーラビリティ及び加速スクリーニング性を有する、Advanced-DFM RAM ○島野裕樹・森下 玄・堂阪勝己・有本和民（ルネサステクノロジ）  ICD2007-8 |
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| 抄録 | （和） | Advanced-DFM(Design For Manufacture) RAMは、SRAMの直面する低電圧スケーリングとプロセス変動の問題に対する解を与える。 本RAMは、広い動作マージンを持って0.6V動作の低電圧スケーラビリティと長時間のデータ保持特性を示した。メモリセルは、相補ダイナミックメモリ動作する2Cell/bitセルで構成され、マージナルセルを加速スクリーニングによって信頼性を高める、1Cell/bitテストモードを備えている。さらに、GNDビット線プリチャージセンス方式、及びSSW(Sense Synchronize Write) 方式を適用した。 |
| （英） | The advanced-DFM (Design For Manufacturability) RAM provides the solution for the limitation of SRAM voltage scaling down and the countermeasure of the process fluctuations. The characteristics of this RAM are the voltage scalability (@0.6V operation) with wide operating margin and the reliability of long data retention time. The memory cell consists of 2Cell/bit with the complementary dynamic memory operation and has the 1Cell//bit test mode for the accelerated screening against the marginal cells. The GND bitline pre-charge sensing scheme and SSW(Sense Synchronized Write) peripheral circuit technologies are also adopted. | |
| キーワード | （和） | DFM RAM / 2Cell/bit / 低電圧スケーラビリティ / スクリーニングテスト / SoCメモリプラットフォーム / / / |
| （英） | DFM RAM / 2cell/bit / low voltage scalability / screening test / SoC memory platform / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-8, pp. 41-46, 2007年4月. | |
| 資料番号 | ICD2007-8 | |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） | 大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低消費電力SoCプラットフィームに適し、電圧スケーラビリティ及び加速スクリーニング性を有する、Advanced-DFM RAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A voltage scalable advanced DFM RAM with accelerated screening for low power SoC platform |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFM RAM / DFM RAM |
| キーワード(2)（和/英） | 2Cell/bit / 2cell/bit |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧スケーラビリティ / low voltage scalability |
| キーワード(4)（和/英） | スクリーニングテスト / screening test |
| キーワード(5)（和/英） | SoCメモリプラットフォーム / SoC memory platform |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島野 裕樹 / Hiroki Shimano / シマノ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森下 玄 / Fukashi Morishita / モリシタ フカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堂阪 勝己 / Katsumi Dosaka / ドウサカ カツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサス テクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有本 和民 / Kazutami Arimoto / アリモト カズタミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサス テクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-12 14:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-8 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) |
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