| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-04-13 14:20
二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子 ○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍(東芝) ICD2007-16 |
| 抄録 |
(和) |
ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言います。このような二重接合構造をSONOS型メモリのトンネル膜に応用することで、ゲート長25nmのメモリ素子が良好な特性を示すことを示します。また、25nm領域において、二重接合トンネル膜が、通常の酸化膜よりも、高速書込消去と長時間記憶保持の両立において非常に有利であることを実証します。 |
| (英) |
When a nano meter scale conductive island is lying between two tunnel resistance, this structure is called "Double junction" in singlke charge tunneling. We show that an excellent 25nm gate-length SONOS-tyoe memory device is possible by applying the double junction structure in tunnel layers. Moreover, it is shown experimentally that, compared to conventional oside tunnel layers, the double junction tunnel layers are extremely advantageous in trade-off between w/e and charge retention |
| キーワード |
(和) |
二重接合 / 不揮発メモリ / クーロンブロッケイド / 量子効果 / SONOS / MONOS / / |
| (英) |
Double junction / non-volatile memory / Coulomb blockade / quantum effect / SONOS / MONOS / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-16, pp. 89-93, 2007年4月. |
| 資料番号 |
ICD2007-16 |
| 発行日 |
2007-04-05 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ICD2007-16 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地(和) |
大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地(英) |
|
| テーマ(和) |
新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ:堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2007-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
25nm SONOS-type Memory Device usinh Double Tunnel Junction |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
二重接合 / Double junction |
| キーワード(2)(和/英) |
不揮発メモリ / non-volatile memory |
| キーワード(3)(和/英) |
クーロンブロッケイド / Coulomb blockade |
| キーワード(4)(和/英) |
量子効果 / quantum effect |
| キーワード(5)(和/英) |
SONOS / SONOS |
| キーワード(6)(和/英) |
MONOS / MONOS |
| キーワード(7)(和/英) |
/ |
| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大場 竜二 / Ryuji Ohba / オオバ リュウジ |
| 第1著者 所属(和/英) |
(株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ |
| 第2著者 所属(和/英) |
(株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
杉山 直治 / Naoharu Sugiyama / スギヤマ ナオハル |
| 第3著者 所属(和/英) |
(株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
藤田 忍 / Shinobu Fujita / フジタ シノブ |
| 第4著者 所属(和/英) |
(株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Co.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-04-13 14:20:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
ICD2007-16 |
| 巻番号(vol) |
vol.107 |
| 号番号(no) |
no.1 |
| ページ範囲 |
pp.89-93 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2007-04-05 (ICD) |