| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-04-13 09:10
Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability
○中島博臣・楠 直樹・篠 智彰（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・大澤 隆・藤田勝之・幾見宣之・松岡史宜・福田 良・渡辺陽二・南 良博（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・西村 潤・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝）  ICD2007-10 |
| 抄録 |
（和） |
SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mbパターンでチップイールド68％を達成した．さらに、デバイスシミュレーションにより、このFBC（Floating Body Cell）技術は、閾値電位差とリテンション時間を維持したまま32nm nodeまでスケーリング可能であることを実証した． |
| （英） |
Technologies and improved performance of the Floating Body RAM are demonstrated. Reducing SOI thickness to 43nm, a 16Mb chip yield of 68% has been obtained. Device simulation proves that the Floating Body Cell is scalable to the 32nm node keeping signal margin (threshold voltage difference) and data retention time constant. |
| キーワード |
（和） |
FBC / SOI / DRAM / メモリ / スケーリング / スケーラビリティー / シミュレーション / CMOS |
| （英） |
FBC / SOI / DRAM / Memory / Scaling / Scalability / Simulation / CMOS |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-10, pp. 53-58, 2007年4月. |
| 資料番号 |
ICD2007-10 |
| 発行日 |
2007-04-05 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ICD2007-10 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） |
大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） |
|
| テーマ（和） |
新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2007-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Floating Body RAM Technology and its Scalability to 32nm Node |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
FBC / FBC |
| キーワード(2)（和/英） |
SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） |
DRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） |
メモリ / Memory |
| キーワード(5)（和/英） |
スケーリング / Scaling |
| キーワード(6)（和/英） |
スケーラビリティー / Scalability |
| キーワード(7)（和/英） |
シミュレーション / Simulation |
| キーワード(8)（和/英） |
CMOS / CMOS |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中島 博臣 / Hiroomi Nakajima / ナカジマ ヒロオミ |
| 第1著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
楠 直樹 / Naoki Kusunoki / クスノキ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
篠 智彰 / Tomoaki Shino / シノ トモアキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 システムＬＳＩ第一事業部 (略称： 東芝)
System LSI Division.1, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
東 知輝 / Tomoki Higashi / ヒガシ トモキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
東芝マイクロエレクトロニクス（株） (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス)
Toshiba Microelectronics Corp. (略称： TOSMEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大澤 隆 / Takashi Ohsawa / オオサワ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
藤田 勝之 / Katsuyuki Fujita / フジタ カツユキ |
| 第6著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
幾見 宣之 / Nobuyuki Ikumi / イクミ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松岡 史宜 / Fumiyoshi Matsuoka / マツオカ フミヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
福田 良 / Ryo Fukuda / フクダ リヨウ |
| 第9著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
渡辺 陽二 / Yohji Watanabe / ワタナベ ヨウジ |
| 第10著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
南 良博 / Yoshihiro Minami / ミナミ ヨシヒロ |
| 第11著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
坂本 篤史 / Atsushi Sakamoto / サカモト アツシ |
| 第12著者 所属（和/英） |
東芝情報システム（株） (略称： 東芝情報システム)
Toshiba Information Systems(Japan) Corp. (略称： TJ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
西村 潤 / Jun Nishimura / ニシムラ ジュン |
| 第13著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
浜本 毅司 / Takeshi Hamamoto / ハマモト タケシ |
| 第14著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
仁田山 晃寛 / Akihiro Nitayama / ニタヤマ アキヒロ |
| 第15著者 所属（和/英） |
（株）東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター (略称： 東芝)
Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. (略称： Toshiba) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第16著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第17著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第18著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第19著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第20著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第21著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第22著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第23著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第24著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第25著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第26著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第27著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第28著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第29著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第30著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第31著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第32著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第33著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第34著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第35著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第36著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-04-13 09:10:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
ICD2007-10 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.1 |
| ページ範囲 |
pp.53-58 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2007-04-05 (ICD) |