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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-05-18 13:25 ペンタセンTFT の結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源 ○大橋 昇・冨井 弘・松原亮介・中村雅一・酒井正俊・工藤一浩（千葉大）  OME2007-10 |
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| 抄録 | （和） | 多結晶ペンタセン薄膜トランジスタを線形領域で動作させ、原子間力顕微鏡ポテンショメトリを用いて表面形状と動作中の表面電位分布を測定した。得られた表面像から結晶ドメイン内の分子テラスが現れた平坦部を判別し、そのような領域において表面形状に依存しない電位揺らぎが存在していることを初めて明らかにした。この電位揺らぎは、チャネル導電率に揺らぎがあることを示すものである。そこでこの電位揺らぎの起源について検討を行ったところ、価電子帯上端のエネルギーに揺らぎがあるため局所キャリア密度が変動していると仮定した モデルにより分布が無理なく説明できることが明らかになった。このときの揺らぎの半値全幅は12 meV であり、この揺らぎが結晶ドメイン内でのキャリアの平均走行速度を低下させているものと思われる。 |
| （英） | Surface topography and potential distribution of a thin-film transistor (TFT) with a poly-crystalline pentacene active layer have been measured using atomic-force-microscope potentiometry. Flat areas showing molecular terraces were identified from the topographic images, and potential fluctuation independent of topographic features was found for the first time in the flat areas. This implies the existence of channel-conductance fluctuation even in a crystalline domain in a pentacene TFT. A considerable origin of the potential fluctuation was concluded to be fluctuation of the top level of valence band, which results in the variation of local carrier concentration. The full width at half maximum of the band fluctuation was estimated to be 12 meV. This might reduce the mean carrier drift velocity in crystalline domains. | |
| キーワード | （和） | ペンタセン / 薄膜トランジスタ（TFT） / 原子間力顕微鏡ポテンショメトリ / 有効質量 / バンド揺らぎ / / / |
| （英） | Pentacene / Thin Film Transistor (TFT) / Atomic Force Microscope Potentiometry / Effective Mass / Band Fluctuation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 47, OME2007-10, pp. 5-9, 2007年5月. | |
| 資料番号 | OME2007-10 | |
| 発行日 | 2007-05-11 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2007-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2007-05-18 - 2007-05-18 |
| 開催地（和） | 電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Denki-Club |
| テーマ（和） | 有機材料・一般 |
| テーマ（英） | Organic Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2007-05-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ペンタセンTFT の結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Potential Fluctuation and its Origin in Crystalline Domain of Pentacene Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / Pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ（TFT） / Thin Film Transistor (TFT) |
| キーワード(3)（和/英） | 原子間力顕微鏡ポテンショメトリ / Atomic Force Microscope Potentiometry |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / Effective Mass |
| キーワード(5)（和/英） | バンド揺らぎ / Band Fluctuation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 昇 / Noboru Ohashi / オオハシ ノボル |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨井 弘 / Hiroshi Tomii / トミイ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 亮介 / Ryousuke Matsubara / マツバラ リョウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / サカイ マサトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-05-18 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2007-10 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.47 |
| ページ範囲 | pp.5-9 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-05-11 (OME) |
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