酸化亜鉛ZnO(ウルツ鉱構造)はバンドギャップ3.3eVをもつワイドギャップ半導体であり、60meVの励起子結合エネルギーを持つため室温において高効率な励起子発光が期待できる紫外発光材料である。これまでにZnO系半導体におけるEgを1.8 eV ~ 3.7 eVまで制御し、その屈折率2.8 ~ 1.9 at 1.96 eVと波長分散を明確化した。
今回は活性層となるZn1-xCdxO薄膜の高品質化とZnO系DH接合からEL半値幅の改善を目指し、ZnO系DH接合の成長とEL発光評価を行った。
（英）
ZnO has a direct band gap energy of 3.3 eV and ZnO is expected to high efficiency excitonic emission at room temperature because excitonic binding energy of ZnO is larger than thermal energy of RT. We have succesfully controlled band gap energy from 1.8 eV to 3.7 eV with ZnO based alloy films. Moreover, we have analized variation of refractive indices from 2.8 to 1.9 and clarified their dispersion.
In this study, we tried high quarity ZnCdO film growth and improvement of EL FWHM from ZnO based DH junction.