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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-07 15:30 SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 ○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大）  SDM2007-35 |
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| 抄録 | （和） | SiO2中に埋め込まれたマルチ量子ドットから構成されるフローティングゲートへの多電子の同時注入が実験によって報告されている。本実験においては、量子ドットゲートへの電子のトンネル注入自体が非常にrareなイベントで秒単位に１度しか起こらないにも関わらず、トンネル注入が生じると複数の電子が同時にマルチ量子ドットゲートに注入される。本研究では反転層に生じた２次元電子ガスを介した波動関数の干渉効果により量子ドット間に相関が5-7ｎｍ程度の範囲にわたって生じることを摂動計算によって明らかにした。干渉効果によって生じる量子ドット間の相関が複数電子の同時トンネルの物理的起源である可能性を提案する。 |
| （英） | The use of silicon-quantum-dots (Si-QDs) as a floating gate in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) has been attracting great attention. During electron injection, however, many electrons are injected into Si-QDs within very short time (order of 1 ms). This experimental result indicates that the collective motion of electrons occurs during electron injection into Si-QDs. In this study, we theoretically show that neighboring dots are likely to interact each other, due to the quantum interference of wave functions of continuous two dimensional electron gas. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / メモリ / フローティングゲート / トンネル / 理論 / 多電子注入 / / |
| （英） | Quantum Dot / Memory / Floating Gate / Tunnel / Theory / Multi-Electron Injection / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-35, pp. 23-26, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-35 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Proposal of the mechanism of multi-electron injection into floating gates embeded in SiO2 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | メモリ / Memory |
| キーワード(3)（和/英） | フローティングゲート / Floating Gate |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル / Tunnel |
| キーワード(5)（和/英） | 理論 / Theory |
| キーワード(6)（和/英） | 多電子注入 / Multi-Electron Injection |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 幸宏 / Yukihiro Takada / タカダ ユキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村口 正和 / Masakazu Muraguchi / ムラグチ マサカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-07 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-35 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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