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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-07 13:30 MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 ○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）  SDM2007-31 |
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| 抄録 | （和） | MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）型不揮発性メモリーの高信頼化を目的に，MONOS構造内の電子及び正孔トラップ分布の解析手法の確立とトラップの起源のモデル化を行った．アバランシェ注入とC-V測定を窒化膜の膜厚を変化させたMONOS構造キャパシタに行うことによって，電子及び正孔トラップの分布を解析した．その結果，電子はトップ酸化膜/窒化膜界面と窒化膜/ボトム酸化膜界面に捕獲され，正孔はこの両界面に加えて窒化膜バルク中にも捕獲されることが分かった．正孔トラップの起源は窒化膜中のSi DB（Dangling Bond）であり，電子トラップの起源は3配位酸素とSiのボンド（Si-O(3)）であると考えられる． |
| （英） | For the purpose of providing higher reliability to MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type nonvolatile memory, we have developed an analytical technique of the electron and hole trap distribution in the MONOS structure. Moreover, we have also developed a microscopic model of the origin of the charge trap. Electron and hole trap distributions were analyzed using a combination of avalanche charge injection and C-V measurement with varying thicknesses of the nitride layers in the MONOS structures. We have consequently found that electrons mainly located at both top and bottom oxide/nitride interfaces, whereas holes locate at the same interfaces as well as in the nitride bulk. We also found that the electron and hole traps are originated from 3-fold coordinated oxygen and silicon dangling bond respectively. | |
| キーワード | （和） | MONOS / SONOS / トラップ / 分布 / エネルギー準位 / アバランシェ注入 / / |
| （英） | MONOS / SONOS / Trap / Distribution / Energy level / Avalanche injection / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-31, pp. 1-6, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-31 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Electron and Hole Trap in MONOS-type Nonvolatile Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MONOS / MONOS |
| キーワード(2)（和/英） | SONOS / SONOS |
| キーワード(3)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(4)（和/英） | 分布 / Distribution |
| キーワード(5)（和/英） | エネルギー準位 / Energy level |
| キーワード(6)（和/英） | アバランシェ注入 / Avalanche injection |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 猛 / Takeshi Ishida / イシダ タケシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 廉一 / Renichi Yamada / ヤマダ レンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii / トリイ カズヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-07 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-31 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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