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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 15:30 Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 ○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）  SDM2007-51 |
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| 抄録 | （和） | High-kゲート絶縁膜によるGeチャネルMOSFETは高機能デバイスとして期待され、注目されている。我々はパルスレーザー蒸着(PLD)法によって様々な雰囲気下においてGe基板上にPr酸化膜を作製し、その構造や電気的特性を調べた。Ar雰囲気中において作製したPr酸化膜には、角度分解X線光電子分光(ARXPS)法の結果からGeOxが拡散し、実効誘電率の低下を招くことが分かった。それに対し、O2雰囲気および真空中の堆積ではGeOxの拡散が抑制されることが分かった。また、窒化したGe基板上にPr酸化膜を堆積した試料では、Pr酸化膜にGeOxは拡散せず、また、そのPr酸化膜層の比誘電率は24.3であり、非常に高い値が得られた。 |
| （英） | A Ge MOSFET with a high-k dielectric film is considered to be an attractive candidate for high performance devices. We investigated film structures and electrical properties of Pr oxide films prepared in various ambient on Ge (001) wafers by pulsed laser deposition. Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy revealed that GeOx incorporation into the Pr oxide film is obvious, leading to reduction of permittivity, when depositing in Ar ambient, whereas it is suppressed in O2 and the vacuum deposition. Nitridation of Ge substrates prior to Pr oxide deposition is effective in suppressing GeOx incorporation, resulting in improved permittivity. | |
| キーワード | （和） | Pr酸化膜 / high-k / Ge / Ge窒化膜 / / / / |
| （英） | Pr oxide film / high-k / Ge / Ge nitride film / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-51, pp. 107-111, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-51 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Characterization of Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Pr酸化膜 / Pr oxide film |
| キーワード(2)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(3)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | Ge窒化膜 / Ge nitride film |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鬼頭 伸幸 / Nobuyuki Kito / キトウ ノブユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 朗 / Akira Sakai / サカイ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 正毅 / Masaki Ogawa / オガワ マサキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-51 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.107-111 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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