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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 10:30 HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大）  SDM2007-42 |
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| 抄録 | （和） | 電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-ΔVth=At^Bと表した場合、窒素を添加したHfSiON膜はBの値が温度に寄らず一定であるのに対し、窒素を添加していないHfSiOx膜のそれは温度依存性を示すことがわかった。これは窒素添加によりしきい値電圧を変化させる機構が変化することを示唆している。しきい値電圧を変化させる原因には膜中の酸素空孔が関与しており、窒素添加によって酸素空孔の振る舞いが変化すると考えている。 |
| （英） | The threshold voltage shift was analyzed for the FETs with HfSiOx or HfSiON films. It was found that the NBTI slope, B (in -dVth=At^B) for HfSiON is independent on measurement temperature, while the slope for HfSiOx is. It was indicated that the nitridation could affect the mechanism of the threshold voltage shift. We consider that the threshold voltage shift is always related to the oxygen vacancy, which plays several roles, and the influence of each role is varied by nitridation and temperature. | |
| キーワード | （和） | HfSiOx / HfSiON / 窒素濃度 / NBTI / 酸素空孔 / / / |
| （英） | HfSiOx / HfSiON / Nitrogen concentration / NBTI / Oxygen vacancy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-42, pp. 59-64, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-42 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Effect of Nitrogen Addition into HfSiON on Threshold Voltage Shift |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfSiOx / HfSiOx |
| キーワード(2)（和/英） | HfSiON / HfSiON |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素濃度 / Nitrogen concentration |
| キーワード(4)（和/英） | NBTI / NBTI |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素空孔 / Oxygen vacancy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 知大 / Chihiro Tamura / タムラ チヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 達也 / Tatsuya Naito / ナイトウ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 基之 / Motoyuki Sato / サトウ モトユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge technologies, Inc. (略称： Selete) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 犬宮 誠治 / Seiji Inumiya / イヌミヤ セイジ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge technologies, Inc. (略称： Selete) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蓮沼 隆 / Ryu Hasunuma / ハスヌマ リュウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山部 紀久夫 / Kikuo Yamabe / ヤマベ キクオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 10:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-42 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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