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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 09:50 SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング ○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝）  SDM2007-41 |
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| 抄録 | （和） | SiO${}_2$ pMOSFETに対するNBTI劣化のモデルとして，理論的なモデルは反応拡散モデルが，実験的なモデルはOgawaモデルがよく知られている．しかし，SiON pMOSFETに対するモデルはない． 本論文では，2つのモデルを拡張することによって窒素濃度に依存したホールトラップモデルを提案し，SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリングを紹介する． |
| （英） | For SiO${}_2$ pMOSFETs, the reaction-diffusion model is well used to describe the NBTI degradation theoretically and the Ogawa model for hole trap generation is known experimentally.However, there is not a good model of NBTI degradation for SiON devices. In this paper, we propose a nitrogen dependent hole trap generation model by extending these two models and present the NBTI degradation model for SiON pMOSFETs. |
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| キーワード | （和） | NBTI / 信頼性 / 絶縁膜 / 反応拡散モデル / 窒素添加 / / / |
| （英） | NBTI / reliability / insulator / reaction-diffusion model / nitrogen addition / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-41, pp. 55-58, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-41 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of NBTI Degradation for SiON pMOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NBTI / NBTI |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁膜 / insulator |
| キーワード(4)（和/英） | 反応拡散モデル / reaction-diffusion model |
| キーワード(5)（和/英） | 窒素添加 / nitrogen addition |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下川 淳二 / Junji Shimokawa / シモカワ ジュンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 利之 / Toshiyuki Enda / エンダ トシユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 伸俊 / Nobutoshi Aoki / アオキ ノブトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷本 弘吉 / Hiroyoshi Tanimoto / タニモト ヒロヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 早苗 / Sanae Ito / イトウ サナエ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊島 義明 / Yoshiaki Toyoshima / トヨシマ ヨシアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-41 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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