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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 13:10 スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価 ○西岡 浩・菊地 真・木村 勲・神保武人・鄒 紅コウ（アルバック）  SDM2007-46 |
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| 抄録 | （和） | High-kゲート絶縁材料としてLaAlO3薄膜がRFマグネトロンスパッタ法によりp型Si(100)基板上に堆積された。得られたLaAlO3薄膜はアニール後、上部電極としてマスクスルースパッタによりPtが成膜された。エリプソメータにより測定されたLaAlO3薄膜の膜厚は24.2nmであった。このPt/LaAlO3/Si-MISキャパシタのC-VおよびI-V測定をおこなったところ、EOT、k-valueおよびEOT換算絶縁破壊電界はそれぞれ5.4nm、17.4および16.67MV/cmであり、SiO2やAl2O3と比較して優れた特性が得られた。 |
| （英） | We prepared the LaAlO3 thin films by RF magnetron sputtering on 8ich p-Si(100) substrate for High-k gate insulator. After post deposition annealing, Pt top electrode deposited on the LaAlO3 thin film by mask through sputtering. The thickness of LaAlO3 is 24.2nm measured by Ellipsometor. EOT, k-value and Break down field of Pt/LaAlO3/Si-MIS capacitor are 5.4nm, 17.4 and 16.67MV/cm, respectively. These values of LaAlO3 were very excellent compared with that of SiO2 and Al2O3. | |
| キーワード | （和） | LaAlO3 / High-kゲート / スパッタ法 / / / / / |
| （英） | LaAlO3 / High-k gate / Sputtering / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-46, pp. 81-83, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-46 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Al2O3 Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LaAlO3 / LaAlO3 |
| キーワード(2)（和/英） | High-kゲート / High-k gate |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ法 / Sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西岡 浩 / Yutaka Nishioka / ニシオカ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 (略称： アルバック) Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. (略称： ULVAC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 真 / Shin Kikuchi / キクチ シン |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 (略称： アルバック) Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. (略称： ULVAC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 勲 / Isao Kimura / キムラ イサオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 (略称： アルバック) Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. (略称： ULVAC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神保 武人 / Takehito Jimbo / ジンボ タケヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 (略称： アルバック) Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. (略称： ULVAC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鄒 紅コウ / Koukou Suu / スウ コウコウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 (略称： アルバック) Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. (略称： ULVAC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-46 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.81-83 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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