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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 13:35 Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大）  SDM2007-47 |
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| 抄録 | （和） | High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている．HfO2/Geは600℃でのアニールによって大きく特性が劣化するのに対し，Y2O3/Geでは良好な特性を維持できる．このようなHigh-k材料間の決定的な差は，High-k/Ge界面の質の違いによるものであり，それは主にGe界面近傍での結晶性の違いに由来するものと考えられる．600℃のアニールを行うとY2O3はGeとの界面反応によってY-ジャーマネートを形成してアモルファス化するが，HfO2は結晶膜のままである．このことから，Geデバイスに適用されるHigh-k膜は，Geと穏やかな反応性を持ち，界面でアモルファス化する材料から選ばれるべきだと考えられる． |
| （英） | The impact of high-k material selection on the electrical characteristics of high-k/Ge MIS capacitors was investigated. The Y2O3/Ge maintained good electrical characteristics even after annealing at 600oC, while HfO2/Ge seriously deteriorated. The critical difference between HfO2/Ge and Y2O3/Ge systems was observed from the crystallinity change by the reaction with Ge. The Y2O3 film was amorphized at the interface by forming Y-germanate, which would work as a good interfacial layer to maintain MIS characteristics up to 600oC, while HfO2 films lost the amorphous GeOx interfacial layer by annealing. The High-k material for Ge devices should have a moderate reactivity with Ge and a tendency to be amorphous by Ge-doping. | |
| キーワード | （和） | High-k絶縁膜 / ゲルマニウム / 電気特性 / MISキャパシタ / 界面反応 / / / |
| （英） | High-k dielectric / Germanium / Electrical characteristics / MIS capacitor / Interface reaction / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-47, pp. 85-90, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-47 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Interface Reactions on Electrical Characteristics of Ge/High-k Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | High-k絶縁膜 / High-k dielectric |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 電気特性 / Electrical characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | MISキャパシタ / MIS capacitor |
| キーワード(5)（和/英） | 界面反応 / Interface reaction |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 喜多 浩之 / Koji Kita / キタ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ.of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 能村 英幸 / Hideyuki Nomura / ノウムラ ヒデユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ.of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 翔 / Sho Suzuki / スズキ ショウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ.of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 俊岳 / Toshitake Takahashi / タカハシ トシタケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ.of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / ニシムラ トモノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ.of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ.of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 13:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-47 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.85-90 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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