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講演抄録/キーワード
講演名 2007-06-08 12:45
熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価
鈴木正道土屋義規小山正人東芝SDM2007-45
抄録 (和) High-kゲート絶縁膜LaAlO3上の様々なメタルの実効仕事関数(Φeff)を系統的に評価し、その振る舞いをHfSiON上のΦeffと比較した。その結果、n-メタルゲート~p-メタルゲート領域のメタル材料におけるフォーミングガスアニール後のLaAlO3上のΦeffは、HfSiON上とは異なり、SiO2上の値に近いことが分かった。また、HfSiONの場合に観測される熱処理雰囲気に依存したPtのΦeffの変化はLaAlO3上では観測されなかった。High-k材料に依存した酸素欠陥生成挙動の違いが、プロセス雰囲気に応じたΦeff 不安定性の違いに反映されたものと推測される。 
(英) The effective work functions (Φeff ) of various metals on LaAlO3 were systematically investigated. Contrary to the case of HfSiON, the behavior ofΦeff ranging from n-MOS to p-MOS metal gate on LaAlO3 after forming gas annealing was found to resembled that on SiO2. Moreover, the change of Φeff of Pt on HfSiON depending on annealing atmosphere was not observed in the case of LaAlO3. These results suggest that the difference of the mechanism of oxygen vacancy formation in High-k films is responsible for the different dependences of annealing atmosphere.
キーワード (和) High-k / LaAlO3 / 実効仕事関数 / / / / /  
(英) High-k / LaAlO3 / effective work function / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-45, pp. 75-80, 2007年6月.
資料番号 SDM2007-45 
発行日 2007-05-31 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2007-45

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2007-06-07 - 2007-06-08 
開催地(和) 広島大学(学士会館) 
開催地(英) Hiroshima Univ. ( Faculty Club) 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開(案)」との合同開催) 
テーマ(英) Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2007-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Annealing atmosphere dependence of effective work function of metal gates on LaAlO3 gate dielectrics. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) High-k / High-k  
キーワード(2)(和/英) LaAlO3 / LaAlO3  
キーワード(3)(和/英) 実効仕事関数 / effective work function  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 正道 / Masamichi Suzuki / スズキ マサミチ
第1著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 土屋 義規 / Yoshinori Tsuchiya / ツチヤ ヨシノリ
第2著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト
第3著者 所属(和/英) 東芝研究開発センター (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-06-08 12:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2007-45 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.85 
ページ範囲 pp.75-80 
ページ数
発行日 2007-05-31 (SDM) 


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