| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-06-08 10:55
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証
○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝）  SDM2007-43 |
| 抄録 |
（和） |
high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面準位密度の低減について、我々の最近の研究成果を報告する。具体的にはランタンアルミネート(LAO)/Si基板直接接合界面の界面準位密度を低減する手法として、LAO成膜前のSi基板表面を1原子層Srシリサイド(SrSi2)でパシベーションする技術を開発したので紹介する。MBE法を用いてLAO/Si基板界面への1原子層SrSi2挿入を行うことによって、界面準位密度を半分以下に低減できることが分かった。また、1原子層SrSi2挿入によってSi基板とLAO界面に形成される界面の固定電荷を抑制できることを明らかにした。 |
| （英） |
By controlling atomic arrangement of La aluminates (LAO, EOT scalable below 0.5 nm)/Si interface with a newly developed Sr passivation technique, we demonstrated 50 % reduction of interface trap density and suppression of a large amount of positive fixed charge. Our Sr passivation technique makes LAO/Si direct contact more practical for scaled CMOS devices. |
| キーワード |
（和） |
ランタンアルミネート / Srパシベーション / 界面準位密度 / 固定電荷 / SCSプロセス / / / |
| （英） |
La aluminates / Sr passivation / interface trap density / fix charge / SCS process / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-43, pp. 65-70, 2007年6月. |
| 資料番号 |
SDM2007-43 |
| 発行日 |
2007-05-31 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SDM2007-43 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） |
広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） |
Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） |
Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2007-06-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Improvement of the electrical properties of La aluminates/Si (100) interface by insertion of one monolayer epitaxial SrSi2 |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
ランタンアルミネート / La aluminates |
| キーワード(2)（和/英） |
Srパシベーション / Sr passivation |
| キーワード(3)（和/英） |
界面準位密度 / interface trap density |
| キーワード(4)（和/英） |
固定電荷 / fix charge |
| キーワード(5)（和/英） |
SCSプロセス / SCS process |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高島 章 / Akira Takashima / タカシマ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
西川 幸江 / Yukie Nishikawa / ニシカワ ユキエ |
| 第2著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
清水 達雄 / Tatsuo Schimizu / シミズ タツオ |
| 第3著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
鈴木 正道 / Masamichi Suzuki / スズキ マサミチ |
| 第4著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松下 大介 / Daisuke Matsushita / マツシタ ダイスケ |
| 第5著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
吉木 昌彦 / Masahiko Yoshiki / ヨシキ マサヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
富田 充裕 / Mitsuhiro Tomita / トミタ ミツヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山口 豪 / Takeshi Yamaguchi / ヤマグチ タケシ |
| 第8著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト |
| 第9著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
福島 伸 / Noburu Fukushima / フクシマ ノブル |
| 第10著者 所属（和/英） |
株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝)
Corporate Reserch and Development center，Toshiba, corporation (略称： Toshiba) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 所属（和/英） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 所属（和/英） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-06-08 10:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2007-43 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.85 |
| ページ範囲 |
pp.65-70 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2007-05-31 (SDM) |