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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-15 14:50 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 ○村田和範・ノルスルヤティ ビンティ アハド・田村 悠・森 雅之・丹保豊和・前澤宏一（富山大）  ED2007-35 |
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| 抄録 | （和） | Si(111)面上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を超高真空チャンバー内で成長温度200-420℃の範囲で行った。成長したInSb薄膜はX線回折(XRD)、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて評価した。またHall測定によって電気的特性も評価した。1段階成長において220-240℃で結晶性、表面性の良いInSb薄膜が成長した。また、その成長したInSb薄膜は2種類のドメインで形成されていた。1層目を240℃で成長させた後、2層目を420で成長させる2段階成長によってInSb薄膜は結晶構造が改善した。このInSb薄膜の移動度は約14000[cm2/Vs](250K)となった。 |
| （英） | Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(1 1 1) surface was carried out in an ultra-high vacuum (UHV) chamber at growth temperature range 200-420 oC. The grown InSb films were characterized by using X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and Hall measurement. The preferentially (111)-oriented InSb films were grown for the temperature range of 200 oC and 300 oC, and the InSb films with smooth surfae at the temperature rang of 220-240 oC. The grown InSb films consisted of two kinds of domains for temperature range of 200-300 oC. The in-plane structure of the InSb film was improved using 2-step growth. The electron mobility of InSb film was about 140000 cm2/Vs. | |
| キーワード | （和） | X線回折 / 原子間力顕微鏡 / InSb / 2段階成長 / / / / |
| （英） | x-ray diffraction / atomic force microscope / InSb / 2step-growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-35, pp. 21-25, 2007年6月. | |
| 資料番号 | ED2007-35 | |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-06-15 - 2007-06-16 |
| 開催地（和） | 富山大学 |
| 開催地（英） | Toyama Univ. |
| テーマ（和） | 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor Process, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Insb films on Si(111) surface by 2-step growth |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | X線回折 / x-ray diffraction |
| キーワード(2)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscope |
| キーワード(3)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(4)（和/英） | 2段階成長 / 2step-growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 和範 / Kazunori Murata / ムラタ カズノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ノルスルヤティ ビンティ アハド / Norsuryati Binti Ahmad / - - |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 悠 / Yu Tamura / タムラ ユウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ of Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ of Toyama) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丹保 豊和 / Toyokazu Tambo / タンボ トヨカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ of Toyama) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ of Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-15 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-35 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.95 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) |
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