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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-15 16:15 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード ○杉山弘樹・松崎秀昭・小田康裕・横山春喜・榎木孝知・小林 隆（NTT）  ED2007-38 |
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| 抄録 | （和） | MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製した。断面TEM観察によって 薄層AlAs障壁/In0.8Ga0.2As井戸からなる良好な二重障壁構造が形成されている事を確認した。AFM観察では、二重障壁構造のヘテロ界面が原子レベルで平坦な事を確認した。R&D型のMOVPE装置を用いて作製したRTDでは、RTD/HEMT集積回路の高速動作応用に必要な、高ピーク電流密度（1.46x105 A/cm2）、高ピーク・バレー電流比（7.7）、低ピーク電圧（0.43V）を同時に満たす特性が得られた。AlAs障壁層厚さは、Al原料供給時間によって高精度制御が可能であり、最も薄いAlAs障壁層を有するRTDでは4x105 A/cm2を上回るピーク電流密度が得られた。最近、このような高品質のRTDは量産型MOVPE成長装置でも可能な事がわかった。 |
| （英） | InP-based resonant tunneling diodes (RTDs) with a strained In0.8Ga0.2As well and AlAs barriers were grown by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE). Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) confirmed the successful formation of ultra-thin strained AlAs barriers and In0.8Ga0.2As wells. Atomic force microscope (AFM) observation revealed atomically flat interfaces in the double-barrier (DB) structures of the RTDs. We obtained a peak current density (jP) of 1.46x105 A/cm2, high peak-to-valley current ratio (PVR) of 7.7, and a low peak voltage (VP) of 0.43 V simultaneously by using a R&D-type reactor. Maximum jP exceeded 4x105 A/cm2. The AlAs barrier thickness was precisely controlled by the Al-precursor-supply duration. The excellent RTD characteristics were also obtained from the RTDs grown by using a mass-production-type reactor. | |
| キーワード | （和） | 共鳴トンネルダイオード / RTD / MOVPE / InP / InGaAs / AlAs / / |
| （英） | RTD / MOVPE / InP / InGaAs / AlAs / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-38, pp. 39-43, 2007年6月. | |
| 資料番号 | ED2007-38 | |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-06-15 - 2007-06-16 |
| 開催地（和） | 富山大学 |
| 開催地（英） | Toyama Univ. |
| テーマ（和） | 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor Process, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of high-quality InP-based resonant tunneling diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / RTD |
| キーワード(2)（和/英） | RTD / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / InP |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InGaAs |
| キーワード(5)（和/英） | InGaAs / AlAs |
| キーワード(6)（和/英） | AlAs / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki / マツザキ ヒデアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 康裕 / Yasuhiro Oda / オダ ヤスヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki / エノキ タカトモ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-15 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-38 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.95 |
| ページ範囲 | pp.39-43 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) |
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