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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-15 14:25 InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2007-34 |
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| 抄録 | （和） | 分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子 不整へテロ構造を用いて, InAs 薄膜のエピタキシャルリフトオフ(epitaxial lift-off; ELO), すなわち, AlAs 犠牲層選 択エッチングによるトップInAs 薄膜の分離, および, そのSiO2/Si ウェハ上へのvan der Waals 貼付(van der Waals bonding; VWB) を検討した. ELO プロセスの容易さのためには, ある程度の厚さのAlAs 犠牲層が必要であるが, 厚 いAlAs 犠牲層は, AlAs とInAs の格子不整に起因したトップInAs 薄膜の結晶性の低下をもたらす. そこで, ELO の 容易さとInAs 薄膜の結晶性とのトレードオフに関する知見を明らかにした上で, ELO およびVWB を実現した. 得ら れたSiO2/Si ウェハ上のInAs 薄膜は, 高い電子移動度を示し, 良好な電気伝導特性が確認された. |
| （英） | We investigated epitaxial lift-off (ELO) of InAs thin films using lattice-mismatched InAs top layer/AlAs sacrificial layer/InAs buffer layer/GaAs(001) heterostructures obtained by molecular beam epitaxy. In the ELO process, the InAs top layer is separated from the GaAs substrate with the InAs buffer layer by selective etching of the AlAs sacrificial layer. Van der Waals bonding (VWB) of the epitaxial lifted-off InAs thin films on SiO2/Si wafers is also investigated. Thicker AlAs sacrificial layers result in easier ELO of the top InAs thin films, but cause a degradation of the crystal quality of the top InAs thin films. Through the clarification of the trade-off between the easiness of the ELO process and the crystal quality of the InAs thin films, we successfully realized the ELO and the VWB. The obtained InAs thin films bonded on the SiO2/Si wafers exhibit excellent electron transport properties. |
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| キーワード | （和） | InAs / エピタキシャルリフトオフ / van der Waals 貼付 / 格子不整成長 / / / / |
| （英） | InAs / epitaxial lift-off / van der Waals bonding / lattice-mismatched growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-34, pp. 17-20, 2007年6月. | |
| 資料番号 | ED2007-34 | |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-06-15 - 2007-06-16 |
| 開催地（和） | 富山大学 |
| 開催地（英） | Toyama Univ. |
| テーマ（和） | 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor Process, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial lift-off of InAs thin films and their van der Waals bonding on SiO2/Si wafers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャルリフトオフ / epitaxial lift-off |
| キーワード(3)（和/英） | van der Waals 貼付 / van der Waals bonding |
| キーワード(4)（和/英） | 格子不整成長 / lattice-mismatched growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝田 隼人 / Hayato Takita / タキタ ハヤト |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jeong Yonkil / Yonkil Jeong / ジョン ヨンキル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 潤哉 / Jun-ya Arita / アリタ ジュンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-15 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-34 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.95 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) |
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