| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-06-16 09:30
[招待講演]金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次(福井大) ED2007-41 |
| 抄録 |
(和) |
低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金属/p-GaN界面の理解の現状を述べる。p-GaN上の電極は漏れ電流が大きく、基礎物性の理解を困難にしてきた。我々はMgのドーピング量を低減することにより漏れ電流を大幅に低減し、p-,n-GaN電極の障壁高さの和がバンドギャップに等しくなる高障壁なショットキー特性(qφB = 2.4 eV)をNi/p-GaN電極で実現した。I-V,C-V特性において深い準位からのキャリアの捕獲、放出に伴う大きなメモリー効果が観測された。高温ICTS測定により、禁制帯中央に近い欠陥準位が界面近傍に局在することが分かった。 |
| (英) |
This paper will review the basic understanding of current transport mechanism of metal/p-GaN contacts. We have demonstrated that low Mg doping is affective to improve leaky Schottky characteristics, and provided Schottky barrier height as high as 2.4 eV for Ni/p-GaN contacts. In the I-V and C-V characteristics, a significantly large memory effect was observed, which was caused by carrier capture and emission of deep-level defects. High-temperature ICTS measurements revealed that the deep-level defects were in the mid-gap level, and located in the vicinity of the interface. |
| キーワード |
(和) |
p-GaN / ショットキー接触 / 低Mgドーピング / 深い準位 / / / / |
| (英) |
p-GaN / Schottky contact / Low-Mg doping / deep-level defects / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-41, pp. 57-60, 2007年6月. |
| 資料番号 |
ED2007-41 |
| 発行日 |
2007-06-08 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2007-41 |