| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-06-25 13:00
［招待講演］Si/SiGe continuous epitaxial growth technology for high speed SiGe HBTs
○Katsuya Oda（Hitachi） エレソ技報アーカイブはこちら |
| 抄録 |
（和） |
A continuous-epitaxial-growth technique, using a cold-wall rapid thermal UHV/CVD system, for Si/SiGe multi-layers containing different doping types has been developed. Extremely high phosphorous-doping in the silicon layer grown by LPCVD with Si2H6 can be achieved without high-temperature activation annealing, and good crystallinity of the Si layer results in very low resistivity. High-temperature surface cleaning prior to the epitaxial growth can be omitted, since contamination occurring during wafer transfer was minimized by using a UHV transfer chamber. Good crystallinity of the HBT structure after the whole fabrication process was confirmed by reciprocal lattice space mapping of high-resolution X-ray diffraction. These results indicate that the developed continuous-epitaxial-growth technique gives a major advantage in maintaining crystal quality of Si/SiGe multi-layers for future ultra-high-speed devices. |
| （英） |
A continuous-epitaxial-growth technique, using a cold-wall rapid thermal UHV/CVD system, for Si/SiGe multi-layers containing different doping types has been developed. Extremely high phosphorous-doping in the silicon layer grown by LPCVD with Si2H6 can be achieved without high-temperature activation annealing, and good crystallinity of the Si layer results in very low resistivity. High-temperature surface cleaning prior to the epitaxial growth can be omitted, since contamination occurring during wafer transfer was minimized by using a UHV transfer chamber. Good crystallinity of the HBT structure after the whole fabrication process was confirmed by reciprocal lattice space mapping of high-resolution X-ray diffraction. These results indicate that the developed continuous-epitaxial-growth technique gives a major advantage in maintaining crystal quality of Si/SiGe multi-layers for future ultra-high-speed devices. |
| キーワード |
（和） |
連続エピタキシャル成長 / ラピッドサーマルUHV/CVD / 結晶性 / SiGe HBT / / / / |
| （英） |
Continuous-epitaxial-growth / Rapid thermal UHV/CVD / Crystallinity / SiGe HBT / / / / |
| 文献情報 |
信学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
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| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED SDM |
| 開催期間 |
2007-06-25 - 2007-06-27 |
| 開催地（和） |
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 |
| 開催地（英） |
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, Gyeongju, Korea |
| テーマ（和） |
第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ |
| テーマ（英） |
2007 Asia-Pacific Workshopn on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007) |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-06-ED-SDM |
| 本文の言語 |
英語 |
| タイトル（和） |
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| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Si/SiGe continuous epitaxial growth technology for high speed SiGe HBTs |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
連続エピタキシャル成長 / Continuous-epitaxial-growth |
| キーワード(2)（和/英） |
ラピッドサーマルUHV/CVD / Rapid thermal UHV/CVD |
| キーワード(3)（和/英） |
結晶性 / Crystallinity |
| キーワード(4)（和/英） |
SiGe HBT / SiGe HBT |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Katsuya Oda / Katsuya Oda / Katsuya Oda |
| 第1著者 所属（和/英） |
日立製作所中央研究所 (略称： 日立)
Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第2著者 所属（和/英） |
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| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 所属（和/英） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-06-25 13:00:00 |
| 発表時間 |
分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol. |
| 号番号（no） |
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| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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