| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-06-29 14:00
GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移 ○田中海一・幾野敬太・葛西洋平・福永和哉(上智大)・欅田英之・江馬一弘・菊池昭彦・岸野克巳(上智大/JST) OPE2007-22 LQE2007-23 |
| 抄録 |
(和) |
通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高速で緩和するため、光スイッチング素子としての応用が期待できる。GaN系ISBTは他のISBT試料と比べて特に高速で緩和することができるが、問題点として、サファイア基板との格子不整合によって生じた貫通転位によるスイッチング効率の低下があげられる。高密度柱状結晶のGaNナノコラムでは、貫通転位を含まない優れた結晶性を有するため、試料の高品質化が望める。そこで我々はGaNナノコラムに多重量子ディスク(MQD)を挿入した試料において、通信波長帯でのISBTによる吸収を確認した。さらに、ポンプ・プローブ法を用いて、ISBT吸収飽和信号の超高速な緩和過程を観測し、性能指数を見積もった。 |
| (英) |
The electronic relaxation process of intersubband transition (ISBT) in semiconductor quantum wells is extremely fast due to strong electron-phonon interactions. ISBT has attracted a lot of attention as a good candidate for all-optical switching devices, because of its speed and tunability to the optical communication wavelengths of 1.2∼1.6um. The GaN-based ISBT has the issue that owing to lattice mismatch between GaN(AlN) and the sapphire substrate, the GaN/AlN epitaxial layer exhibits high-density threading dislocations. Self-organized GaN nanocolumns are essentially free of threading dislocations, and a GaN/AlN multiple-quantum disk (MQD) can be inserted into GaN nanocolumns. Therefore, the nanocolumn-ISBT is expected to improve the switching performance. In this study, we investigated the ultrafast relaxation dynamics of ISBT at 1.55 um in GaN/AlN MQD nanocolumns using the degenerate pump probe technique at 1.55um and confirmed the high-speed performance of the ISBT was preserved. We also estimated the saturation intensity of the nanocolumn ISBT. |
| キーワード |
(和) |
GaN / サブバンド / 通信波長帯 / 量子井戸 / ナノコラム / / / |
| (英) |
GaN / subband / communication wavelength / quantum well / nanocolumn / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 125, LQE2007-23, pp. 29-33, 2007年6月. |
| 資料番号 |
LQE2007-23 |
| 発行日 |
2007-06-22 (OPE, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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