| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-07-27 10:55
希塩酸処理プロセスによるBi-2212スタックの作製と特性評価
○加藤孝弘・染矢和樹・吉田 隆・名和海明・毛利千里・富永隼賢・入江勇太・濱崎勝義（長岡技科大）・島影 尚（NICT） |
| 抄録 |
（和） |
我々は、希塩酸処理プロセスを用いて固有ジョセフソン接合の作製・評価を進めている．従来のプロセスでは，スタック高さを決める改質層厚（＜40nm）を，そのまま自己平坦化層として用いていた．このため，結晶（サイズ：1×1mm2）の端部及び、配線用Au膜とBi-2212結晶との間でマイクロショートの危険があった．マイクロショートは固有ジョセフソン接合のI-V特性（Ir, Ic）に影響を与えるため，固有Josephson特性の評価を困難にする．これを解決するために，本研究では接合窓近傍以外のBi-2212結晶を全て改質させ，絶縁性結晶にするプロセスを開発した．このプロセスにより，再現性よく77Kで明瞭なヒステリシスをもつ固有ジョセフソン接合を作製することができた． |
| （英） |
We have previously reported on the fabrication technique using acid-treated process, and also analyzed the I-V characteristics (Ic-T, Ir-T) of the self-planarized Bi-2212 intrinsic Josephson junctions. In this process, the thickness of self-planarizing layer (insulator) is the same as the stack height (<40nm), which is decided by soaking time into a dilute acid solution. Because of the ultra thin insulating layer (self planarized layer, <40nm), microshorts might occur at the edge of the crystal (typical size: 1×1mm2), and in the insulating layer between the wiring layer (counter electrode) and Bi-2212 crystal (base electrode). In this study, to avoid the microshorts we modified the process. The crystal except for the stack was perfectly varied to insulating material by soaking it into the dilute hydrochloric acid (pH~1.4) for about 20 minutes. By using this process, we reproducibility fabricated the stacks with large hysteresis at 77K. |
| キーワード |
（和） |
固有ジョセフソン接合 / 塩酸改質プロセス / 自己平坦化法 / / / / / |
| （英） |
Intrinsic Josephson junction / acid-treated process / self-planarizing-method / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 171, SCE2007-13, pp. 7-11, 2007年7月. |
| 資料番号 |
SCE2007-13 |
| 発行日 |
2007-07-20 (SCE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
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