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講演抄録/キーワード
講演名 2007-07-27 10:30
MOD法によるMgO基板上へのSTOおよびBi-2212薄膜の作製
渡邉省司立木 隆内田貴司防衛大)・内山哲治宮城教大
抄録 (和) テラヘルツ発振器などの高周波デバイスへの応用を目指し、MgO基板上へのBi2Sr2CaCu2O8+x(Bi-2212)薄膜の作製を行っている。本研究では、低コストで大面積での成膜が可能な有機金属分解(MOD)法に注目し、Bi-2212薄膜を作製する際のMgO基板上へバッファー層として期待できるSrTiO3(STO)薄膜とBi-2212薄膜をそれぞれ作製し、それらの特性評価を行った。その結果、2段階熱処理を導入し、プリカーサの作製条件を最適化することにより、STO薄膜に対してX線回折測定によるロッキングカーブ半値幅Δω=1.80 deg.、面内ロッキングカーブ半値幅Δφ=2.65 deg.を得た。また、Bi-2212薄膜に対し、プリカーサ作製および本焼成プロセスを改善することにより、超伝導転移温度TC=75 Kを得た。 
(英) We focus on realizing a high quality Bi2Sr2CaCu2O8+x(Bi-2212) thin film fabricated on an MgO substrate in order to apply the film to high frequency devices such as a terahertz oscillator and filter. In this study, SrTiO3(STO) thin films which can be expected as a buffer layer and Bi-2212 thin films were fabricated on MgO substrates by the metal-organic decomposition(MOD) method which has the advantages such as its low running cost and ability to fabricate large-area films. By introducing the 2-step heat treatment and optimizing the temperature of precursor fabrication, we obtained the FWHM of 1.80°and 2.65°for the X-ray rocking curve and in-plane rocking curve of STO thin films, respectively. Further, we obtained the critical temperature(TC) of about 75 K for Bi-2212 thin films by improving the heat treatment process.
キーワード (和) 有機金属分解(MOD)法 / STOバッファー層 / Bi-2212薄膜 / MgO基板 / / / /  
(英) Metal-organic decomposition(MOD)method / STO buffer layer / Bi-2212 thin films / MgO substrate / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 171, SCE2007-12, pp. 1-6, 2007年7月.
資料番号 SCE2007-12 
発行日 2007-07-20 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2007-07-27 - 2007-07-27 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2007-07-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOD法によるMgO基板上へのSTOおよびBi-2212薄膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of STO and Bi-2212 thin-films on MgO substrates by the MOD method. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機金属分解(MOD)法 / Metal-organic decomposition(MOD)method  
キーワード(2)(和/英) STOバッファー層 / STO buffer layer  
キーワード(3)(和/英) Bi-2212薄膜 / Bi-2212 thin films  
キーワード(4)(和/英) MgO基板 / MgO substrate  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 省司 / Shoji Watanabe / ワタナベ ショウジ
第1著者 所属(和/英) 防衛大学校 (略称: 防衛大)
National Defense Academy (略称: N.D.A.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 立木 隆 / Takashi Tachiki / タチキ タカシ
第2著者 所属(和/英) 防衛大学校 (略称: 防衛大)
National Defense Academy (略称: N.D.A.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 貴司 / Takashi Uchida / ウチダ タカシ
第3著者 所属(和/英) 防衛大学校 (略称: 防衛大)
National Defense Academy (略称: N.D.A.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 内山 哲治 / Tetuji Uchiyama / ウチヤマ テツジ
第4著者 所属(和/英) 宮城教育大学 (略称: 宮城教大)
Miyagi University of Education (略称: Miyagi Univ. of Education)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-07-27 10:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SCE 
資料番号 SCE2007-12 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.171 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2007-07-20 (SCE) 


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