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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-23 15:25 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化 ○福岡一樹・小澤 治・森 涼・五十嵐康人・佐々木敏夫・倉石 孝・安 義彦・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ）  SDM2007-153 ICD2007-81 |
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| 抄録 | （和） | 厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する．本手法はPVT変動による突入電流，復帰時間のばらつきを抑制することにより，突入電流を増加させることなく電源遮断からの高速復帰を可能とする．高速復帰は電源遮断の頻度を高め，モバイルプロセッサのリーク電流削減に貢献する．アプリケーションCPU領域の復帰時間は1.92usを達成し，その結果96.6%のリーク電流削減を可能とした．突入電流の実測結果は提案手法が精度よく突入電流を制御できることを示した． |
| （英） | A technique for controlling rush current and wake-up time of thick-gate-oxide power switches is described. Suppressing the variation of rush current on PVT allows shorter wake-up times, which can reduce leakage currents in a mobile processor. Wake-up takes 1.92us and leakage current is reduced by 96.9% in an application CPU domain. Probing the rush current indicated accurate control by the technique. | |
| キーワード | （和） | 厚膜MOS電源スイッチ / 高速復帰 / リーク電流低減 / 突入電流 / PVT変動 / / / |
| （英） | thick-gate-oxide power switch / fast wake-up / leakage current reduction / rush current / PVT variation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 195, ICD2007-81, pp. 69-73, 2007年8月. | |
| 資料番号 | ICD2007-81 | |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-153 ICD2007-81 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）<オーガナイザ：榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ（英） | VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.92us-wake-up time thick-gate-oxide power switch technique for ultra low-power single-chip mobile processors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 厚膜MOS電源スイッチ / thick-gate-oxide power switch |
| キーワード(2)（和/英） | 高速復帰 / fast wake-up |
| キーワード(3)（和/英） | リーク電流低減 / leakage current reduction |
| キーワード(4)（和/英） | 突入電流 / rush current |
| キーワード(5)（和/英） | PVT変動 / PVT variation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福岡 一樹 / Kazuki Fukuoka / フクオカ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 治 / Osamu Ozawa / オザワ オサム |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 涼 / Ryo Mori / モリ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 康人 / Yasuto Igarashi / イガラシ ヤスト |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 敏夫 / Toshio Sasaki / ササキ トシオ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉石 孝 / Takashi Kuraishi / クライシ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安 義彦 / Yoshihiko Yasu / ヤス ヨシヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-23 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2007-153, ICD2007-81 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 | pp.69-73 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) |
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