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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-24 13:50 3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法 ～ CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討 ～ ○岡本恵介・小泉圭輔・廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大）  SDM2007-163 ICD2007-91 |
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| 抄録 | （和） | ３次元型トランジスタを用いたシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した（検討したモチーフはNAND，NOR等の基本回路とテーパ型バッファ回路）。この検討により、FinFETを用いることでパターン面積が大幅に削減できる可能性が有ることがわかった。そこで、CMOSセルライブラリへ“平面型＋FinFET型”方式を適用し、側壁チャネル幅を最適化することにより、動作速度、消費電力等の性能を犠牲にする事無くシステムLSIの素子領域のパターン面積を従来の平面型の場合の約４０％に縮小できることを示した。今後設計上の幾つかの検討項目を解決することにより、“平面型＋FinFET型”方式は将来のシステムLSI実現の有力な候補になる。 |
| （英） | New design method of system LSI with FinFET has been developed. Using planar+FinFET architecture the pattern area of CMOS cell library can be reduced to about 40% compared with the conventional planar case. New design method is a promising candidate for realizing future high performance, high-density system LSI. | |
| キーワード | （和） | システムLSI / 3次元型トランジスタ / FinFET / チャネル幅 / 側壁チャネル幅 / セルライブラリ / / |
| （英） | system LSI / Three-Dimensional Transistor / FinFET / channel width / sidewall channel width / cell library / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 195, ICD2007-91, pp. 119-124, 2007年8月. | |
| 資料番号 | ICD2007-91 | |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-163 ICD2007-91 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）<オーガナイザ：榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ（英） | VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法 |
| サブタイトル（和） | CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討 |
| タイトル（英） | Design of High Density LSI with Three-Dimensional Transistor FinFET |
| サブタイトル（英） | Effect of Pattern Area Reduction with CMOS Cell Library |
| キーワード(1)（和/英） | システムLSI / system LSI |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元型トランジスタ / Three-Dimensional Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(4)（和/英） | チャネル幅 / channel width |
| キーワード(5)（和/英） | 側壁チャネル幅 / sidewall channel width |
| キーワード(6)（和/英） | セルライブラリ / cell library |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 恵介 / Keisuke Okamoto / オカモト ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 圭輔 / Keisuke Koizumi / コイズミ ケイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣島 佑 / Yu Hiroshima / ヒロシマ ユウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： SIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-24 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2007-163, ICD2007-91 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 | pp.119-124 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) |
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