| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SDM |
| 開催期間 |
2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地(和) |
北見工業大学 |
| 開催地(英) |
Kitami Institute of Technology |
| テーマ(和) |
VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低消費電力)<オーガナイザ:榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ(英) |
VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
90-nm CMOS技術による多段階読出し方式を用いた128-Kbit,16ポートSRAMの設計 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
A 128-Kbit, 16-Port SRAM Design with Multi-Stage-Sensing Scheme in 90-nm CMOS Technology |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| キーワード(2)(和/英) |
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| キーワード(3)(和/英) |
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| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
| 第1著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
椋田 祐也 / Yuya Mukuda / ムクダ ユウヤ |
| 第2著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
和泉 伸也 / Shinya Izumi / イズミ シンヤ |
| 第3著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
マタウシュ ハンス・ユルゲン / Hans Juergen Mattausch / マタウシュ ハンス・ユルゲン |
| 第4著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小出 哲士 / Tetsushi Koide / コイデ テツシ |
| 第5著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第6著者 所属(和/英) |
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| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第24著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第25著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第26著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第27著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第29著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第30著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第31著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第33著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-08-24 16:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
SDM2007-169, ICD2007-97 |
| 巻番号(vol) |
vol.107 |
| 号番号(no) |
no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 |
pp.149-154 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2007-08-16 (SDM, ICD) |